TSV（矽穿孔）技術在3D IC中，可謂扮演相當吃重的角色，由於摩爾定律的關係，半導體製程的不斷突破，晶片業者不斷提升電晶體密度，同時又面臨晶片尺寸極為有限的情況下，水平面積畢竟還是有其極限，所以半導體業者們才從垂直方向下手，以整合更多的電晶體，進一步提升晶片整體效能。

Veeco PSP技術長Laura Rothman Mauer

Veeco屬於半導體沉積與蝕刻設備供應商，在該設備市場中，屬於領導角色，有鑑於市場中諸多半導體業者陸續將TSV投入量產，如先前為人所熟知的Xilinx（賽靈思）、美光、海力士與三星等，都是明顯的例子。Veeco PSP技術長Laura Rothman Mauer指出，TSV雖然能陸續量產，有助於半導體整體市場的發展，但是，目前TSV量產成本過高仍是不爭的事實，有鑑於此，Veeco嘗試從設備端下手，希望能為客戶降低量產的單位成本，進一步為TSV能被更多領域所使用。

Laura Rothman Mauer進一步談到，Veeco所採取的作法，僅是針對TSV整體生產流程中的薄化與露出流程，加以強化，將過去傳統的CMP（化學機械研磨）、電漿蝕刻設備、矽厚度量測與清洗工具等四道製程，整合在單一設備上，與此同時，也取代傳統的CMP作法。

此一設備主要是採用溼式蝕刻製程，Veeco也是目前產業界第一家推出該技術的設備業者。採用溼式蝕刻製程，可以讓晶圓表面更加光滑與清除磨痕，矽厚度的輪廓也能均勻展現，而在顯影劑的使用上，也採用全新的SACHEM Reveal Etch，以讓TSV的顯露能更均勻，也不會對襯底氧化層或是含金屬通孔造成破壞。

回到前面所談到的降低單位成本，Laura Rothman Mauer引述第三方機構，SavanSys的資料指出，採用傳統的基準乾蝕刻（包含CMP）與Veeco的溼式蝕刻製程，兩者在良率上幾乎沒有差異，但在成本方面，以單片晶圓計算，前者約為美金68.5元，後者則為61.84元。她也強調，儘管溼式蝕刻整合既有的四道製程與設備，但前後的設備整合仍然不會有問題。

至於目前在市場上，是否還有其他競爭對手環伺？Laura Rothman Mauer目前Veeco在溼式蝕刻製程仍是居於領頭羊的地位，但她也表示，先前Lam Search先前發表過關於溼式蝕刻的論文，所以也不排除未來有機會推出機台設備到市場上。