日本經濟新聞報導，為縮短與三星電子與東芝之間的距離，日本半導體大廠瑞薩科技（Renesas）表示，將追加投資330億日圓（約3億美元），擴充快閃記憶體（Flash）產能。瑞薩2003年度設備投資預算為900億日圓，此為該公司二度追加投資計畫，預計全年度設備投資額已累積至1300億日圓（約為12億美元）。

該報導指出，目前瑞薩的12吋晶圓廠Trecenti月產能約為9000片，其中三分之一用來生產AG-AND型快閃記憶體，瑞薩預定在2004年秋季前，將Trecenti廠月產能提升為1.2萬片，擴增部分將全數用來生產AG-AND型快閃記憶體。該廠預定在2004年3月設備進廠，並開始生產1G AG-AND快閃記憶體，同年10月再開始量產4G產品。

瑞薩於2003年11月與力晶半導體宣佈合作，部分產能委由力晶生產，但為因應市場需求，瑞薩自身亦將擴大產能，目標在三星、東芝主導的NAND／AND型快閃記憶體市場攻得20％市佔率。