晶圓大廠聯電轉投資的IC設計業者迅慧科技（HBA），日前宣布已與聯電共同完成90奈米高速靜態隨機存取記憶體（SRAM）之原型晶片，預計今年下半年可進行量產，聯電企圖以此產品提升在電信通訊市場的接單能力與市占率。

據經濟日報報導，迅慧是聯電近年轉投資成立的重要IC設計公司，由原先負責聯陽半導體的黃財旺擔任董事長兼總經理；黃財旺表示，90奈米高速SRAM的研發成功，除證明迅慧設計團隊的能力與聯電之製程技術水準，亦希望以此產品使迅慧的同步SRAM營收在電信通訊產業市場中大幅成長。

該90奈米高速SRAM原型，在核心電壓範圍介於0.8V-1.4V及低電流下，仍具備高執行效能的特色。此SRAM原型可應用於未來的系統單晶片整合，符合迅慧高密度ZeBL（Zero Bus Latency）SRAM系列產品的標準；目前第一批晶圓已成功通過驗證，預計在下半年可進入量產。