英特爾推出最新三閘極電晶體（Tri-Gate transistor）技術量產化，大大有益於直取媒體平板裝置和智慧型手機的戰略高地。對於在這兩大領域「喊水會結凍」的安謀（ARM）來說，絕對不是一個好消息，而ARM想要迂迴滲透到英特爾老巢PC/NB的計畫，也可能會受到一定程度的阻礙。

英特爾宣稱採用22奈米製程、以3D IC架構為基礎的三閘極電晶體技術，比起32奈米製程的平面雙閘極電晶體技術，可降低超過50％的功耗，並且提高18～37％的處理效能，製程成本也不過微幅提高了2～3％。採用三閘極電晶體技術的最新Ivy Bridge晶片，預計將在今年年底出貨給OEM廠商，相關產品可在2012年初問世。

市調機構iSuppli運算平台研究部門首席分析師Matthew Wilkins認為，減少超過50％功耗的三閘極電晶體技術，將有助於英特爾真正在媒體平板裝置和智慧型手機領域站穩一席之地。

三閘極電晶體技術不僅提高了英特爾Atom平台進攻媒體平板裝置和智慧型手機的戰鬥力，也強化了在傳統PC/NB領地的防禦能力。英特爾以往在這裡擁有超過80％市佔率的絕對優勢，Wintel聯盟更是讓其他「小三」沒有插手空間。不過微軟在CES展會期間宣佈將支援ARM微處理器架構，以往堅不可摧的Wintel聯盟出現了關鍵性的缺口，讓擁有低功耗處理核心優勢的ARM，有了可趁之機得以切入行動筆電領域。市調機構Gartner因此預估到2015年，ARM核心為基礎的晶片在PC/NB領域可能擁有13％的市佔率。

三閘極電晶體技術的量產化，除了能讓英特爾的新一代x86處理核心有能力在低功耗部份與ARM一較高下，更可抵禦ARM挾低功耗優勢大舉揮軍自家老巢的衝擊。市調機構Pund-IT Research首席分析師Charles King便指出，英特爾主攻晶片效能的市場區塊，大概可分為高電壓裝置（high-voltage settings）和低電壓裝置（low-voltage settings）兩部份。前者應用以傳統桌上型電腦和伺服器為主，英特爾持續擁有霸主地位；不過在後者應用的行動裝置、智慧型手機、媒體平板和小筆電方面，英特爾除了藉由Atom處理器切入小筆電之外，在其他部份都面臨嚴峻挑戰。三閘極電晶體技術協助英特爾喊出「芝麻開門」的關鍵句，開啟了英特爾大步邁進low-voltage應用的康莊大道。

除了英特爾之外，台積電和IBM這幾年來也都持續開發3D架構晶片技術，不過關鍵在於英特爾的三閘極電晶體技術已經可以量產化，iSuppli就認為相較於主要競爭對手，英特爾在3D架構晶片技術已經擁有2～3年的領先差距。此外的優勢還在於三閘極電晶體不必再沿用絕緣層上覆矽SOI（silicon-on-insulator）架構，更可讓成本有效降低許多，更進一步地，三閘極電晶體技術可繼續適用於20奈米以下次世代微影製程階段。

不過對於三閘極電晶體能給英特爾多大的助益，Gartner副總裁Ken Dulaney卻有不一樣的看法。他認為技術上的突破毋庸置疑，但是否因此直接成為英特爾進入行動領域的利器，則有待觀察。因為OEM廠商買的是封裝後的系統單晶片，多媒體應用處理、基頻和其他晶片整合封裝於單晶片中，關鍵的不是只有應用處理器本身而已，其他技術也發揮作用，在這部份包括德儀（TI）、高通（Qualcomm）或是輝達（Nvidia）等競爭對手實力雄厚，英特爾還有更多尚待提昇的地方。特別是在廣域無線通訊技術部份，行動WiMAX正讓位給LTE，WiMAX聲勢已不如以往。加上媒體平板裝置其實就是大隻的智慧型手機，而不是小台的PC。英特爾在這領域要能出頭，也必須照規矩來。三閘極電晶體技術不見得就讓英特爾在智慧型手機或是媒體平板裝置領域可以「笑傲江湖」。