瑞薩電子與台積公司合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術，以生產支援新世代環保汽車與自動駕駛車的微控制器(MCU)。採用此全新28奈米製程技術生產的車用MCU預計於2017年提供樣品，2020年開始量產。

瑞薩與台積公司合作開發支援新世代環保汽車與自動駕駛車之28奈米微控制器

瑞薩與台積公司自90奈米技術世代開始便密切合作開發內建快閃記憶體的MCU產品。為了使未來的環保汽車與自動駕駛車更具節能效益且更可靠，雙方在合作40奈米MCU平台與生產四年之後，擴大合作至28奈米MCU的開發。透過此次合作，瑞薩具備高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽(MONOS)eFlash技術，將結合台積公司高效能、低功耗的28奈米高介電層金屬閘製程技術，生產全球頂尖的車用MCU產品，以支援廣泛的應用，例如自動駕駛車的感測器控制、電子控制單元(ECU)之間的協調控制、環保汽車的高效率燃油引擎控制、以及電動車的高效率馬達變頻器控制。

為了滿足未來自動駕駛車對於高效能與安全性的嚴格要求，新世代MCU利用3D雷達監測車輛四周環境，以實現高精度的感測功能，同時可整合多個感測器的資料，並且具備自動駕駛操作時所需的即時判斷處理能力。能夠安全控制自動駕駛功能的ECU亦需要新世代的MCU快速處理複雜的控制任務(包括失效穩定運作能力、安全性、以及對多個ECU之間協調控制的支援)，並提高整體系統的能源效率及功能安全性。

同時，為了符合更嚴格的排放法規，新世代環保汽車的引擎還需要強大的運算效能來運作新的燃油系統，它也需要強大且大容量的內建快閃記憶體來容納更大的韌體程式。由於市場對環保的要求越來越高，對電動車(EV)與充電式油電混合車(PHV)也要求具備更長的行駛距離，因而創造了對於更高運算效能及功能整合度MCU的需求，以實現效率更高、體積更小的馬達變頻器。大容量快閃記憶體亦不可或缺，能夠更精確地支援各國環境法規與標準，並得以透過空中傳輸(OTA)的方式無線更新控制程式。此外，具備優異效能與絕佳安全性的MCU嵌入式快閃記憶體技術對於打造安全社會的新世代控制技術來說也是必須的，適用領域包括工業4.0等工業領域以及社會基礎建設領域。

透過此項合作所開發的28奈米eFlash製程技術，MCU的程式記憶體容量最高將可比目前的40奈米技術多出四倍以上，效能也將提升超過四倍，符合新世代車用運算的需求。此全新MCU產品的其他強化特點還包括了使用多CPU核心、更先進的安全性，並且支援多種介面標準。

瑞薩執行副總裁大村隆司表示：「汽車產業正經歷重大轉變，新一代的環保汽車及自動駕駛車即將問世，而創新的半導體技術是加速新世代汽車開發的重要關鍵。我相信透過與台積公司針對新世代MCU的技術合作，未來將能夠提供使客戶安心的穩定供貨。而我們也將致力於建構MCU的生態系統，並持續扮演好領導廠商的角色，協助推動MCU產業往前邁進。」

台積公司業務開發副總經理金平中博士表示：「與瑞薩合作證明了我們提供具有競爭力的技術為客戶產品創造最大價值的承諾。藉由台積公司28奈米高效能且具節能效益的技術，我們相信將能夠展現最佳化的先進技術，以滿足新世代汽車產品對創新的需求，並在效能與成本之間為客戶取得極具競爭優勢的地位。」

[技術小百科]金屬氧化氮氧化矽(MONOS)嵌入式快閃記憶體技術

在MONOS結構中，快閃記憶體單元的每個電晶體皆以矽為基礎，並由氧、氮、氧三層組成，頂端有一個金屬控制閘極。瑞薩供應用於IC卡的MCU已累積超過20年的經驗，瞭解MONOS快閃記憶體技術的運用方式。瑞薩以過去在MONOS技術方面的亮眼成果為基礎，研發適用於MCU內部快閃記憶體的分裂閘(SG)結構，成功地擴大了這項技術的應用範圍。全新的「SG-MONOS」型快閃記憶體能夠實現MCU高可靠性、高速、以及低功耗的優勢。