德國約翰古騰堡大學（JGU）研究團隊攜手法國Antaios公司，在自旋軌道扭矩（SOT）磁性隨機存取記憶體（MRAM）技術上取得關鍵性進展。這項創新技術展現了取代現有電腦快取記憶體的潛力，為高效能運算開闢新道路。

SOT-MRAM以其卓越的能源效率、非揮發性及高速效能著稱。研究團隊透過利用軌道霍爾效應（OHE），成功開發出新型磁性材料，顯著降低了寫入所需的輸入電流，並確保了數據儲存的穩定性與持久性。

此研究的技術亮點包含能源效率大幅提升，相比傳統記憶體技術，新 SOT-MRAM 裝置在工業規模下實現了超過 50% 的能耗降低；效能顯著增強， 數據儲存效率提高 30%，讀寫速度更快更可靠；電流需求降低， 磁性切換所需的輸入電流減少 20%，進一步降低能耗。此外，也 實現了超過十年的數據儲存穩定性。

這項突破性技術的關鍵在於利用了軌道霍爾效應，在不依賴昂貴稀有材料的前提下，實現了更高的能源效率。研究人員巧妙地利用電子軌道電流，取代了傳統的自旋電流，從而降低了對高成本材料的依賴。

研究人員表示，這項合作成果不僅在基礎科學上令人著迷，更可能對 GreenIT 產業產生深遠影響。透過創新物理機制開發更高效的技術，降低能源消耗是研究的重要目標。