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恩智浦全新TrEOS系列为Type-C等超高速介面提供ESD保护力
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2015年11月12日 星期四

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恩智浦半导体(NXP Semiconductors NV; NXPI)推出全新TrEOS保护系列产品,该产品系列整合超低电容、低钳制电压、超高静电放电(Electrostatic Discharge;ESD)耐用度及抗浪涌能力于一身,此三大关键参数在运作同时呈现最佳指标,适用于包括USB Type-C在内的超高速传输介面,为其应用提供全面性的静电放电保护。

产品在应用中实现三大关键参数同时提升效能,满足智慧生活巨量资料高速传输需求。
产品在应用中实现三大关键参数同时提升效能,满足智慧生活巨量资料高速传输需求。

TrEOS ESD保护系列是恩智浦新开发的产品。业界在ESD保护装置的电容、钳制电压、ESD耐用度和抗浪涌能力等关键参数中,改变某项关键参数通常会对其他参数产生负面影响。而对于USB Type-C等超高速传输介面应用,则需于上述所有参数皆达到最佳化性能。恩智浦TrEOS保护系列可以同时做到三大关键参数最佳化状态,进而提供最佳化保护性能,成为针对智慧型手机、可携式与穿戴式装置、车联网、物联网等领域的USB Type -C、HDMI等超高速介面应用的ESD保护解决方案。

恩智浦半导体标准产品事业部大中华区资深总监林玉树表示:「随着智慧互联和大数据时代的到来,行动连网装置在全球包括大中华区市场日益普及,人们对影音、大数据等的大流量高速传输需求与日俱增。USB Type-C等超高速介面也开始应用于越来越多的主流智慧型手机、电脑、可携式装置、穿戴式装置等。这些新型超高速介面非常敏感,因此我们同时针对静电放电保护的三大关键参数(Cd、Vcl、VESD)进行效能提升,推出TrEOS ESD系列解决方案,提供超高速介面所需的特殊保护,帮助产品实现完美设计,让大中华区智慧互联产业相关的装置厂商从中获益。 」

恩智浦的TrEOS ESD保护同时提供多种单线路静电放电和多线路静电放电产品选择,可满足客户不同的静电放电装置尺寸需求,为各类设备的超高速传输介面提供全面的静电放电保护,包括USB Type-C等,以及静电放电敏感的各种SoC等。

全新TrEOS保护系列包括多线路ESD产品和单线路ESD产品。多线路ESD产品包括六线路ESD产品PUSB3FR6和PUSB3AB6、和四线路ESD产品PUSB3FR4等,采用小型无引线DFN2111-7 (SOT1358-1)和DFN2510A-10 (SOT1176-1)塑胶封装,系专为直布线(Direct routing)所设计,能得到讯号完整性,且可简化电路板配置。单线路ESD产品包括双向ESD产品PESD5V0C1BSF、PESD5V0H1BSF、PESD5V0R1BSF、PESD3V3C1BSF和单向ESD产品PESD5V0C1USF,采用极为精巧的0201 SOD962外型规格(DSN0603-2),适合应用于PCB布线空间受限的产品,如智慧型手机、平板电脑和其它可携式系统。这些产品系列目前已量产上市。 (编辑部陈复霞整理)

产品特色

‧ 超低电容Cd:应用低至0.10 pF(典型值)的超低电容,讯号完整性可达到超高速10 Gbps标准;

‧ 低钳制电压Vcl:低至0.10Ω(典型值)的超低动态电阻,用于极低钳制电压保护敏感SoC;

‧ 高静电放电耐用度能力VESD和抗浪涌能力Ippm:高静电放电耐用性可达20 kV接触放电,高于IEC 61000-4-2第4级保护要求,高抗浪涌性Ippm可达9 A(8/20 μs脉冲IEC61000-4-5)。

關鍵字: TrEOS  超低電容  低钳制电压  超高静电放电  ESD  抗浪涌能力  NXP  NXP  系統單晶片 
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