意法半导体（ST）推出新款SCT20N120碳化矽功率MOSFET，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智慧电网设备。

意法半导体扩大碳化矽MOSFET系列为应用带来宽能隙技术

意法半导体推出1200V SCT20N120进一步扩大了碳化矽MOSFET产品系列，具有小于290m?的导通电组（RDS(ON)）及高达200°C的最大工作接面温度等诸多特性优势；其高度稳定的关机能源（Eoff）与闸极电荷（Qg）可使开关性能在整个工作温度范围内表现始终如一。最终的低导通和切换损耗结合超低漏电流将有助于简化热管理设计，并最大幅度地提高可靠性。

除更低的电能耗损外，意法半导体的碳化矽MOSFET的开关频率也同样出色，较同等级的矽绝缘闸双极性电晶体（IGBT）高出三倍，这让设计人员能够使用更小的外部元件，进而缩减产品尺寸、重量以及材料成本。 SCT20N120的耐高温特性可大幅简化电源模组、电动汽车等应用的冷却／散热系统（cooling-system）设计。

SCT20N120采用意法半导体独有的HiP 247封装,其更高的热效率可使管线在最大工作温度高达摄氏200度时,依然能够维持与TO-247工业标准功率封装外型相容。 SCT20N120目前已开始量产。