根植于数十年的电源管理创新经验，德州仪器（TI）推出一款600V氮化镓（GaN）70 mU场效应电晶体（FET）功率级工程样本，进而使TI能够向大众供应高压驱动器整合的GaN解决方案的半导体厂商。与基于矽材料FET的解决方案相比，这款全新的12-A LMG3410功率级与TI的类比和数位电力转换控制器组合，能让设计人员开发出尺寸更小、效率及效能皆更高的设计。这些优势在隔离式高压工业、电信、企业级运算和再生能源的应用中特别重要。

TI制造并公开提供样本的整合高压GaN FET和驱动器解决方案，可实现两倍功率密度并减半功率损耗。 (source:TI)

TI高压电源解决方案副总裁Steve Lambouses表示：「透过3百万小时以上的可靠度测试，LMG3410让电源设计人员能够充满信心地实现GaN的无限潜能，并且透过以往无法实行的方法重新思考他们的电源架构和系统。奠基于TI在生产制造以及广泛的系统设计专业能力，全新的功率级对整个GaN市场来说是相当重要的一步。」

LMG3410借助其整合式驱动器和零反向恢复电流等特性提供可靠的效能，特别是在硬开关（hard-switching）应用中更是如此，并能够大幅地降低高达80%的开关损耗。与独立的GaN FET不同，容易上手的LMG3410针对温度、电流和欠压闭锁（UVLO）的故障保护整合了内建智能机制。

经验证的制造和封装专业知识

LMG3410是第一款整合了由TI生产的GaN FET的半导体积体电路（IC）。基于多年在制造和制程技术领域上的专业，TI在其矽技术相容的工厂内创造出GaN装置，并且透过层层测试，使这些装置的品质超过了典型电子装置工业委员会（JEDEC）标准的要求，以确保GaN在要求严格使用情况下的可靠性和稳健耐用性。易于使用的封装将有助于增加功率因数控制器（PFC） AC/DC转换器、高压DC汇流排转换器和光伏（PV）逆变器等应用中GaN电源设计的部署和采用。

拓展GaN生态系统

为了能够让设计人员在他们的电源设计中利用GaN技术所具有的优势，TI更推出了全新的产品，以扩展其GaN生态系统。 LMG5200POLEVM-10，一个48V至1V负载点（POL）的评估模组，将包括与80V LMG5200 GaN FET功率级配对使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。这个解决方案可以在工业、电信和资料通信应用中实现高达92%的效率。

TI将提供包含有一个半桥子板和4个LMG3410 IC样本的开发套件。而第二个套件则将包含一个系统级评估主机板。将两个套件同步使用时，即可实现直接工作台测试和设计。两个开发套件均已供货。 （编辑部陈复霞整理）

产品特色

‧ 使功率密度加倍。与基于矽材料的先进升压功率因数转换器相比，600V功率级在图腾柱PFC中的功率损耗要低50%。减少的物料清单（BOM）数量和更高的效率最多可以将电源尺寸减少50%。

‧ 减少封装寄生电感。与分立式GaN解决方案相比，装置全新的8mmx8mm四方扁平无引线（QFN）封装减少了功率损耗、组件电压应力和电磁干扰（EMI）。

‧ 可实现全新拓扑。GaN的零反向恢复电荷有益于全新开关拓扑，其中包括图腾柱PFC和LLC拓扑，以增加功率密度和效率。