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英飞凌CoolMOS C7 650V Gold 采用TO-Leadless封装
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2016年05月20日 星期五

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【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)CoolMOS系列推出新产品:采用 TO-Leadless 封装的 CoolMOS C7 Gold 650 V。本产品结合改良的超接面 (SJ) 半导体制程与先进 SMD 封装设计,为硬式切换应用带来优异效能。小型尺寸封装可为伺服器、电信及太阳能应用带来更具优势的功率密度。

英飞凌推出采用 TO-Leadless 封装的高效能与小尺寸 CoolMOS C7 650 V Gold。
英飞凌推出采用 TO-Leadless 封装的高效能与小尺寸 CoolMOS C7 650 V Gold。

C7 Gold CoolMOS 技术包含 4 针脚 Kelvin 源极功能及改良的 TO-Leadless 封装散热性,可为高电流拓扑 (例如最高 3 kW 的功率因数校正 (PFC)) 实现可行的 SMD 解决方案。提升后的 C7 Gold 效能具有更低的切换损耗及热能损耗,因而能达到更高效率。 C7 Gold 技术具备最低的 Ron*A 以及仅 115 mm2 的微小面积,同时在如此精巧的尺寸上可达到最低 33 m? RDS(on) 的导通电阻。

无引脚的Gold

相较于 D2PAK 等其他传统 SMD 封装,TO-Leadless 封装减少了 30% 的面积、50% 的高度及 60% 的空间。此封装亦可做为标准 3 针脚 MOSFET 或使用 4 针脚 Kelvin 源极概念来进行连接。这项功能的实作于满载期间更可显著的增加效率,亦能够减低闸极铃振以提升使用的简易度。

高品质 TO-Leadless 封装具极低的 1 nH 源极电感,采无引脚设计且相容于 MSL1,此封装可轻松进行焊接检查,并适用于波峰焊接与红外线焊接。相较于引脚封装,TO-Leadless 的优势不仅有更高的功率密度,其 SMD 封装的安装过程更为简易,有助于降低制造成本。

CoolMOS C7 650 V Gold TO-Leadless 已开放订购。 (编辑部陈复霞整理)

關鍵字: CoolMOS  TO-Leadless  伺服器  电信  太阳能应用  Infineon  Infineon  系統單晶片 
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