先进半导体设备制造商科林研发公司(Lam Research Corp.)宣布，已在其Flex介电质蚀刻系统中增加了原子层蚀刻(ALE)功能，以扩展ALE技术的产品组合。运用科林研发的先进混合模式脉冲 (AMMP)技术，新的ALE制程展现出原子级的控制能力，可克服逻辑元件微缩至10奈米以下时面对的重要挑战。这是首度将电浆辅助ALE制程运用在介电质薄膜上并导入量产，这套最新的Flex系统已获得广泛的采用，以作为大量制造逻辑元件之用。

最新的Flex系统可提供量产用介电质ALE制程。

科林研发蚀刻产品部门副总裁Vahid Vahedi表示：「从电晶体和接点建立到连线图样(interconnect patterning)，逻辑制造商需要全新等级的精密度才能持续微缩到10奈米以下的制程节点。对自动对准接点(self-aligned contact)等这类元件促成关键技术应用来说，蚀刻有助于建立关键结构，但是传统的技术无法提供符合现在严格规范所需的足够控制能力。我们最新的Flex产品具备介电质ALE功能，其原子级控制能力是经过生产力验证的，可以满足客户的重要要求。」

为了持续逻辑元件的微缩，晶片制造商正采用像是自动对准接点(SAC)等新的整合方法，来解决RC延迟等问题。因此，接点蚀刻已成为最关键的制程之一，会直接影响晶圆良率与电晶体效能。为了能以高解析度制作关键的元件结构，蚀刻制程需要具备超高选择性的方向性(非等向性)功能，同时还要能提供制造所需的生产力。

针对下一代的逻辑与晶圆制造应用，科林研发的Flex介电质蚀刻系统可提供先进的电容式耦合电浆 (CCP)反应器，它独特的小容量设计可提供稳定可靠的生产结果。此最新系统采用属独家的AMMP技术，以借此实现二氧化矽(SiO 2 )等介电质薄膜的ALE制程。与先前的介电质蚀刻技术相比，此功能可提升2倍的选择性，而且还能提供原子级的控制能力。