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英飞凌OptiMOS 5 150 V 可大幅降低导通电阻和逆向复原电荷
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2016年10月18日 星期二

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【德国慕尼黑讯】为满足高效率设计和应用的需求,英飞凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5 150 V 产品组合,进一步拓展OptiMOS 第五代功率 MOSFET系列。全新150 V系列特别针对需求低电荷、高功率密度同时具备高耐用度的高效能应用,如低压驱动器、电信电源与的同步整流以及太阳能转换器所设计。

采用 Super SO 8 封装的 OptiMOS 5 150 V 大幅降低25%的导通电阻RDS(on)。超低Qrr 比 SuperSO8 可提升整流耐用度。
采用 Super SO 8 封装的 OptiMOS 5 150 V 大幅降低25%的导通电阻RDS(on)。超低Qrr 比 SuperSO8 可提升整流耐用度。

节能科技

英飞凌持续开发能够促成高效率设计的产品,以协助降低全球 CO2 排放量。 OptiMOS 5 150 V 能减少电信设备的功耗,亦或增加电动车的功率与行程,对环保的目标作出了贡献。

相较于次佳的同类产品,采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS 5 150 V 大幅降低 25% 的导通电阻 RDS(on)。在相同的 RDS(on) 下,本系列产品的 FOMg 较前一代产品提高了 29%。由于超低 Qrr 比 SuperSO8 中次佳同类产品低 72%,因此可提升整流耐用度,同时也具备强化的 EMI 特性。 (编辑部陈复霞整理)

關鍵字: 导通电阻  逆向复原电荷  Infineon  Infineon  系統單晶片 
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