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英飞凌RC-E独立式IGBT可直接升级既有设计
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2016年10月24日 星期一

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【德国慕尼黑讯】电磁炉设备通常运用谐振拓朴,实现电流双向流动,并且采用切换频率为18 kHz至40 kHz时可达到最佳效能,且损耗率低的独立IGBT。英飞凌科技(Infineon)推出全新独立IGBT系列产品,满足了上述需求。新型RC-E产品经过成本优化,符合中低阶价位电磁炉和电锅的具体需求。

英飞凌新型 RC-E 产品经过成本优化,符合中低阶价位电磁炉和电锅的具体需求。
英飞凌新型 RC-E 产品经过成本优化,符合中低阶价位电磁炉和电锅的具体需求。

单片整合式逆导二极体

新款RC-E 产品透过单片整合式逆导二极体的IGBT达成谐振切换,这项优化的技术有助于实现低切换及低导通损耗。更低的损耗让设计人员更轻易地达到电磁炉应用的效率与功率目标,如此一来,便能减少烹煮时所需消耗的能源,降低消费者的使用成本。新款产品具备低 Eoff、VF、Rth、Vce(sat),为性价比及易用性立下新的标竿。

新产品系列具备了英飞凌在独立 RC IGBT 领域的高品质,同时满足软切换应用、效率、EMI标准的所有要求。 RC-E 系列具备可靠的效能,且价格更加实惠,可降低 BOM成本。 RC-E 采用标准TO-247 封装,可直接在既有设计中做替换。

目前已开始供应样品,产品则已进入生产阶段。本系列产品将推出15 A及25 A两种规格,阻断电压均为最常用的1200 V。 (编辑部陈复霞整理)

關鍵字: IGBT  独立式  逆导二极体  Infineon  Infineon  系統單晶片 
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