意法半导体（STMicroelectronics,ST）推出S系列1200V IGBT绝缘闸极双极性电晶体。当开关频率达到8kHz时，新系列的双极元件拥有低导通及关断耗损，大幅提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业马达驱动器等相关设备的电源转换效率。

新系列双极元件拥有低导通及关断耗损，大幅提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业马达驱动器等设备的电源转换效率。

新S系列拥有当前1200V IGBT市场上最低的饱和电压（VCE(sat)），可确保更低的电压降与最小的功率耗损，从而简化热管理系统。此外，正VCE(sat)温度系数结合紧密的参数分布，不仅大幅简化了多个电晶体的平行设​​计，亦满足更大功率应用的要求。极低的电压过冲及关机零振荡现象（zero oscillation），让电源厂商能够使用更简易的外部电路及更少的外部元件。

10μs最小短路耐受时间(达摄氏150度初始接面温度时) ，无锁定（latch-up free operation）效应，拥有摄氏175度高接面温度及宽广的安全工作范围。多项产品优势实现了极强、稳健的耐用性与可靠性。

作为8kHz最高开关频率硬开关拓朴的理想选择，新款S系列采用第三代沟槽式场截止（trench-gate field-stop）型制程，使意法半导体1200V IGBT的M系列及H系列的市场布局更加完整，M系列及H系列的产品定位分别在20kHz与20kHz以上的开关电源市场，而现在加入了新款Ｓ系列，这三大系列将成为常用开关频率电源厂商针对先进、高能效IGBT元件的最佳选择。

最新发布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三个额定电流值，采用标准针脚或TO-247加长针脚封装。全系列产品均内建最新款的稳流二极体（freewheeling diode），其拥有快速恢复与高恢复软度，确保IGBT具有超低电磁干扰和导通耗损。