Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充碳化矽MOSFET器件组合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化矽MOSFET和萧特基二极体的强有力补充。最终使用者将受益於更加简洁节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。

碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000支援电动和混合动力汽车、资料中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用。

碳化矽MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多重优势，包括电动和混合动力汽车、资料中心及辅助电源。 相比同类的Si IGBT，LSIC1MO170E1000碳化矽MOSFET可带来一系列系统级优化机会，包括提高效率、增加功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本的可能性。

「此产品可改善现有应用，并且Littelfuse应用支援网路可促进新的设计方案。」Littelfuse半导体事业部电源半导体全球产品行销经理Michael Ketterer表示:「碳化矽MOSFET可为传统矽基型功率电晶体器件提供富有价值的替代选择。相比同类IGBT，MOSFET器件结构可减少每个周期的开关损耗并提高轻载效率。固有的材料特性让碳化矽MOSFET能够在阻断电压、特定导通电阻和介面电容方面优於矽MOSFET。」

新推出的1700V、1 Ohm碳化矽MOSFET采用TO-247-3L封装，可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。

产品特色

·专为高频、高效能应用优化

·极低闸极电荷和输出电容

·低闸极电阻，适用於高频开关

典型应用

·太阳能逆变器

·开关模式和不断电电源供应系统

·电机驱动器

·高压DC/DC转换器

·感应加热器