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力旺电子NeoMTP成功导入格芯130nm BCDLite及BCD制程平台
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2018年12月17日 星期一

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力旺电子今日宣布,其嵌入式可多次编写(MTP)记忆体矽智财NeoMTP已成功导入格芯130nm BCD与BCDLite制程平台,专攻消费性及车用市场,以及日益增加的无线充电和USB Type C应用之需求。

力旺目前在格芯130nm BCD与BCDLite制程平台开发的NeoMTP矽智财皆符合车规验证标准AEC-Q100 Grade 1,并将进一步在已验证之平台布局升级版的二代NeoMTP,於不同的平台分别提供符合车规验证标准AEC-Q100 Grade 1与AEC-Q100 Grade 0之二代NeoMTP。

符合AEC-Q100 Grade 1之NeoMTP操作温度可达150。C,在温度区间(-40。C~150。C)编写达1,000次,并能在125。C的高温下维持10年以上的资料留存之优异性能,同时,其2.5V-5.5V优於一般工作范围的操作电压区间及低功耗、高速读取等特性,有利於客户在产品设计上具备弹性及竞争力,未来符合AEC-Q100 Grade 0之NeoMTP操作温度更可高达175。C。

力旺NeoMTP技术是目前业界最具成本效益的嵌入式MTP (Multiple-Times Programmable)方案,其二代MTP记忆体面积更是缩小超过40%,IC设计厂商使用NeoMTP矽智财不仅可延长产品生命周期,而且可扩大产品之应用范围。无线充电器可藉由嵌入NeoMTP IP而允许频繁修改内设之电源开关顺序、输出电流及温度控制等规格叁数,以达到产品最隹化之目的;此外,采用NeoMTP也可以让USB Type C进行多次软体及产品功能更新。

格芯生态系统合作夥伴关系??总裁Mark Ireland表示:「力旺电子与格芯长期以来一直密切合作,致力於创新科技并协助客户在量产制程取得成功。我们预期这次与力旺在130nm BCDLite和BCD制程平台合作导入NeoMTP,将为我们的共同客户带来更好的经济效益与设计上的弹性。」

力旺业务发展处??总经理何明洲表示:「我们很开心能够与格芯合作,在130nm BCDLite和BCD制程平台的布局从一代NeoMTP延伸至二代NeoMTP,提供我们的客户更优异的规格,预计能协助客户在消费性电子及车用市场抢得先机。」

關鍵字: 記憶體  力旺电子 
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