意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出新款整合微波频宽射频合成器STuW81300，可在单一晶片上涵盖1.925GHz至16GHz的射频频段，创下晶片市场上最大频宽及最高频率的纪录。与基于III-V技术的低整合度传统微波射频合成器相比，STuW81300采用意法半导体的BiCMOS SiGe整合制程，可实现经济效益更高的多用途射频架构（降低材料成本）。

STuW81300整合了​​N型相位锁定回路内核、低杂讯宽频电压控制震荡器及稳压器。

STuW81300整合了​​N型相位锁定回路（phase-locked-loop；PLL）内核、低杂讯宽频电压控制震荡器（voltage-controlled oscillators；VCOs）及稳压器。此外，STuW81300还提供各种可编程硬体选项，以满足最新和未来射频／微波应用的需求，其中包括射频通讯、卫星通讯、基地台以及测试测量设备。

为因应微波应用市场的迅速扩张，微波频段（6GHz以上）的使用规模正稳健地成长。市场需要成本最佳化并能够开拓新市场的新一代射频设备，而整合离散砷化镓（GaAs）架构到一颗宽频SiGe晶片内，则可满足这一市场需求。

作为STW81200和STW8110x产品系列的升级（进阶版）产品，新射频合成器提供高性能及高灵活性，同时在同一电路板设计上支援多频宽和多射频标准。例如在卫星通讯应用中，STuW81300可直接用作本地震荡器（local oscillator），在电路板连接一个倍频器（frequency doubler），可解调与调制Ku频段讯号或者Ka频段讯号。在其它应用中，STuW81300还能够完全驱动外部电压控制震荡器（例如GaAs）。5V或3.6V非稳压单一电源使STW81300结合了最佳化功耗和性能，其应用范围从传统电力网供电基础设施扩至低功耗应用。

意法半导体已开始向主要客户提供STu 81300测试样品,并获多家客户采用,预计于2016年开始量产。如果客户需要,意法半导体还可提供评估套件及6x6mm方形扁平封装样品。评估工具包括STWPLLSim软体工具,让开发人员能够依照专案要求快速且准确地修改应用设计。

产品特色

‧ 最宽的工作频段,1.925MHz-16 GHz(可分配给两个射频输出)

‧ 内部频宽匹配射频输出功率:+6dBm@6GHz; +4 dBm@12GHz

‧ 倍频输出基本电压控制震荡器（VCO）抑制高于20dB

‧ 标准化频内（in-band）的相位杂讯（phase-noise）：-227dBc/Hz

‧ 电压控制震荡器（VCO）相位杂讯（6.0GHz）：-131dBc/Hz @ 1MH​​z偏移

‧ 杂讯基准(6.0GHz):-158 dBc/Hz

‧ 电压控制震荡器（VCO）相位杂讯（12.0GHz）：-125dBc/Hz @ 1MH​​z偏移

‧ 杂讯基准(12.0GHz):-154 dBc/Hz

‧ 0.13ps典型RMS频率抖动