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CISSOID推出新系列高温小信号晶体管
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2009年11月30日 星期一

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高温半导体方案供货商CISSOID,近日推出新产品的行星家族高温晶体管和开关。汞是一种高温80V的小信号N沟道MOSFET晶体管,其保证的工作温度范围为摄氏负55度至225度。凭借其极端温度的鲁棒性,其输入电容仅为32pF,在225度其栅极泄漏限于5.6μA,这80V的晶体管适合用于高温度传感器接口,如压电式传感器或执行一个保护放大器。

在225度这种逻辑级MOSFET可汇到230mA,也可用于切换中或高电阻,例如:转换3.3V/5V的逻辑信号至高压开汲极输出而开启/关闭时间低于5ns。最后,源极绑在闸极,在高温度范围下水银可被用作高可靠性的80V小电流二极管。

汞,引用为CHT-SNMOS80,在TO-39金属封装的评估用之样品现在已可提供。

關鍵字: 高溫晶體管  CISSOID 
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