Western Digital公司宣布已成功开发出第二代4-bits-per-cell 3D NAND架构。透过专为Western Digital 96层BiCS4产品导入的QLC技术，已成功开发出储存容量最高的单颗粒3D NAND，其单一储存容量可提升至1.33 Tb(Terabits)。

Western Digital 1.33Tb － 4-bits-per-cell 96层架构3D NAND开始送样

BiCS4是Western Digital与合作夥伴东芝记忆体(Toshiba Memory Corporation)於日本四日市合资设立之快闪记忆体制造厂区研发，目前已开始送样，预计今年量产出货，并於旗下SanDisk品牌之消费性产品率先使用。Western Digital希??BiCS4应用能扩展至各种领域，由零售至企业级SSD市场。

Western Digital矽晶片技术与制造部门(Silicon Technology and Manufacturing)执行??总裁Siva Sivaram博士表示：「藉由Western Digital在矽晶片处理、装置工程和系统整合等方面的能力，QLC技术能提供16个不同单元??值电压来进行资料读取和储存。此次BiCS4 QLC是我们以前一代应用在64层BiCS3的QLC架构基础上优化而成的第二代4-bits-per-cell产品。具备NAND产品中最隹内在成本结构之馀，更突显我们在快闪记忆体创新技术开发的实力，能为客户的资料进一步在零售、行动、嵌入式、客户端及企业级等应用环境下持续发展。我们预期此4-bits-per-cell技术将在上述所有应用中成为主流。」