凌力尔特 (Linear) 日前推出IEEE 802.3bt 受电装置 (PD) 介面控制器 LT4295，该元件适用于要求接受高达 71W 功率的应用。下一代乙太网路供电 (PoE) 标准 IEEE 802.3bt 使制造商能够超越 2009 IEEE 802.3at 标准分配的 25.5W 功率，凌力尔特并预备率先提供符合下一代 IEEE 标准的产品。新标准又称为 PoE++ 或 4PPoE，可提高功率预算以符合新型应用和功能，同时支援 10Gb 乙太网路(10GBASE-T)，并保持与较旧版本 IEEE装置的向后相容性。LT4295 符合 IEEE 802.3bt (草案 2.0) 要求并支援新功能，包括所有新增加的 PD class (5、6、7 和 8)、新增加的 PD type (Type 3 及 Type 4) 以及 5-event分级。

PoE++ 乙太网路供电 PD介面控制器

LT4295 为单特征 802.3bt PD 控制器，内建隔离式开关稳压器控制器，具备辅助电源支援，能够在采用高效率顺向拓扑和无光耦合反驰式拓扑时同步运作。由于具备高整合度，因此可减少所需元件和电路板空间，而能简化前端 PD 设计，使 LT4295 仅凭自身 IC就能够高效率地为PD 负载供电。与内建功率MOSFET 之传统PD 控制器不同的是，LT4295 透过控制外部MOSFET以大幅降低PD 所产生的总热量，并可达到最高的电源效率，由于802.3bt 的功率水准更高，因而此点更重要。外部 MOSFET 架构使用户能够按照需求选择 MOSFET 尺寸，基于 LT4295 的标准实现方案一般选用 30m? RDS(ON) MOSFET。

LT4295 提供工业和汽车温度级版本，分别支援摄氏–40度至 85度和摄氏–40度至 125度的工作温度范围。 LT4295目前已可供货。 LT4295 为包括 LT4276 和 LT4275 在内的凌力尔特现有 PoE+ PD 控制器提供了升级途径。为达到最高的可用功率并减少 PD 产生的热量，可使用 LT4321 理想二极体桥式控制器。 (编辑部陈复霞整理)

产品特色

‧具备顺向 / 反驰式控制器的 IEEE 802.3af / at / bt (草案 2.0) 受电装置 (PD)

‧外部热插拔 N 通道 MOSFET 可达到最低功耗和最高系统效率

‧支援高达 71W 的 PD

‧5-Event分级检测

‧涌浪保护 (100V 绝对最大值)

‧宽广接面温度范围 (摄氏–40度至125度)

94% 的端對端效率"‧采用 LT4321 理想二极体桥接器时可提供 94% 的端对端效率

‧无光耦合反驰模式操作

‧辅助电源支援低至 9V

‧采用 28 接脚 4mm x 5mm QFN 封装