国际整流器公司 (International Rectifier；IR) 针对锂离子电池保护应用推出一系列IR最新低电压MOSFET硅技术组件，包括IRL6297SD双信道DirectFET MOSFET。

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全新功率MOSFET备有极低的导通电阻，藉以大幅减少导通损耗，提供20V和30V N信道及P信道组态组件。闸极驱动最高可从12VGS起，适用于内含两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热DirectFET小型罐封装内提供两个采用共汲极组态的20V N信道MOSFET。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：「IR针对电池管理的广泛MOSFET产品系列提供各式产业封装标准以及为精密设计而设的双DirectFET小型罐封装选择。新组件具有低导通电阻，可替代较大封装尺寸的MOSFET，从而节省电路板空间及系统成本。」

所有新产品符合第一级湿度敏感度（MSL1）及电子产品有害物质限制指令（RoHS）且不含铅、溴和卤。产品现正接受批量订单。（编辑部陈复霞整理）