美国国家半导体（National Semiconductor）近日宣布，推出首款针对高电压电源转换器增强型氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）而优化的100V半桥闸极驱动器。新推出的LM5113是一款高整合high-side和low-side GaN FET驱动器，与使用离散驱动器的设计相比，其可减少75%的组件数量，还能缩小多达85%的印刷电路板（PCB）面积。

美国国家半导体推出针对增强型氮化镓功率FET的100V半桥闸极驱动器

砖式电源模块和通讯基础设备的设计人员需要以最小的外形尺寸实现更高的功效。与标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，由于具有较低的导通电阻（Rdson）、闸极电荷（Qg）以及超小的尺寸，增强型GaN FET可以实现更高的效率和功率密度，但是要可靠地驱动这类组件也面临着新的重大挑战。美国国家半导体LM5113驱动器集成电路解决了这些挑战，使电源设计人员能够在各种普及的电源拓朴结构中发挥GaN FET的优势。

该驱动器采用专有技术，可将high-side浮动靴带式电容电压调节到大约5.25V，以驱动增强型GaN功率FET并达到优化，而不会超过最大闸极源额定电压。LM5113还具有独立的汇入/输出，可实现灵活的导通强度和关闭强度。0.5奥姆的低阻抗下拉路径为低临限电压增强型GaN功率FET提供了一种快速、 可靠的关闭机制，有助于让高频电源设计的效率达到最大。

LM5113整合了一个high-side靴带式二极管（bootstrap diode），进一步缩小PCB面积。LM5113还为high-side和low-side驱动器提供了独立的逻辑输入，因此可灵活运用于各种隔离式和非隔离式电源拓朴结构。