Qorvo今日宣布推出采用表面贴装D2PAK-7L封装的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封装选项，Qorvo SiC FET可为车载充电器、软切换DC/DC转换器、电池充电（快速DC和工业）以及IT/伺服器电源等快速增长应用量身客制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益高功率应用提供更隹解决方案。

Qorvo针对电源设计扩展更高性能和效率750V SiC FET产品组合

Qorvo第四世代UJ4C/SC系列在650/750V时具有9mΩ之业内更低RDS（on），其额定值分别为9、11、18、23、33、44和60mΩ。这种广泛选择可为工程师提供更多元件选项，从而具有更高灵活性，以实现更隹成本/效率平衡，同时保持充足设计冗馀和电路牢固性。

利用独特叠接式（cascode）SiC FET技术，其中常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装以生成常关型SiC FET，这些元件可提供同类更隹 RDS x A品质因数，能够以较小晶片实现较低传导损耗。

Qorvo旗下UnitedSiC首席工程师Anup Bhalla表示：「D2PAK-7L封装可降低紧凑型内部连接环路电感，与包含的Kelvin源极连接一起，可降低切换损耗，从而实现更高操作频率和更高系统功率密度。

这些元件还采用银烧结（silver-sinter）晶片贴装技术，热阻非常低，可透过标准PCB和带液体冷却IMS基板最大限度散热。」

采用D2PAK-7L封装新型750V第4世代SiC FET单价（1000片以上，美国离岸价）从UJ4C075060B7S的3.50美金到UJ4SC075009B7S的18.92美金不等。所有元件均可从授权经销商处获得。

Qorvo旗下UnitedSiC UJ4C/SC第4世代SiC FET系列能够提供业内更隹性能品质因数，进而在更高速度下降低传导损耗并提高效率，同时提高整体成本效益。