Tektronix公司于昨30日宣布，推出新一代可扩充效能示波器平台，将广泛采用IBM 8HP硅锗 (SiGe) 技术。Tektronix致力于协助全球各地的工程师，加速未来设计的除错与测试作业。130奈米（nm） SiGe双橿互补金属氧化半导体（BiCMOS）铸造技术，可提供较前一代技术高出2倍的效能—目标在提供实时带宽超过30 GHz的示波器。

1998年，IBM成为第一家向主流制造业推出硅锗IC技术的公司。到了2000年，Tektronix宣布推出TDS7000系列实时示波器，采用IBM的旗舰SiGe 5HP技术，这是当时市面上最快速的示波器。今日，Tektronix继续采用IBM领先业界的IC技术（第四代SiGe 8HP）。

Tektronix表示，SiGe半导体运用与50年历史的硅晶产业相关、高度可靠而成熟的制程，但效能等级可媲美磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）等特殊材料的效能。与这些替代方案不同的是，SiGe BiCMOS可存取和标准CMOS位于相同芯片上的高速双极晶体管，实现一种结合高度效能与大型整合的电路。就是这样的结合，让Tektronix超过10年来，得以提供功能丰富的高速数据撷取系统。