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奥地利微电子推EEPROM双路8位数字电位器
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎报导】   2008年03月12日 星期三

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奥地利微电子公司推出256-tap SPI接口SPI接口的非挥发性双路数字电位器AS1507,并可提供10k、50k和100k奥姆等电阻。

奥地利微电子推EEPROM双路8位数字电位器
奥地利微电子推EEPROM双路8位数字电位器

AS1507适用于各种低功耗环境,在待机模式下最高耗电率为500nA,在运作模式时,包括CMOS写入电流在内,耗电量仅需200µA(最大值)。AS1507采用2.7V至5.5V单电源工作,端到端电阻温度系数为90ppm/°C。AS1507具备优异的积分非线性(Iintegral Nonlinearity,INL)误差仅为±0.5LSB(最大值)和 ±0.5LSB(最大值)的差分非线性(Differential nonlinearity,DNL)。一个静音输入信号可将两个电位器寄存器的滑动端归零。

奥地利微电子公司标准线性部门营销总监Walter Moshammer表示:「与模拟电位器及同类数字电位器相比,AS1507具有多种优势。除了具备抗振动和冲击、分辨率更高、小尺寸以及更高性能等明显优势以外,AS1507还提供了一种极为可靠的EEPROM,即使在最恶劣的环境中,存储的信息也可以保持数十年之久,而且能经受数百万次的写入操作。」

AS1507数字电位器将滑动端信息存储在集成Hi-EPR(高耐用性、效能和超长保持时间)EEPROM,具备领先全球的重复抹写次数与数据保持时间。奥地利微电子的Hi-EPR EEPROM内存在25°C环境下能执行1000万次的数据抹写,在85°C时更具备惊人的100万次抹写能力,比传统的高阶EEPROM高出50倍。此外,在85°C的环境下,数据保存期限更长达150年,EEPROM储存信息的时限远比标准高阶EEPROM多出15倍。一个就绪信号用于指示写入操作完成。

關鍵字: 数字电位器  EEPROM  奥地利微  Walter Moshammer  其他电源组件 
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