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【CTIMES/SmartAuto 黃弘毅报导】   2012年02月16日 星期四

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随摩尔定律的脚步,半导体市场在2012年将会正式跨入28奈米制程世代。宜特日前宣布,该公司从2010年开始布局,2011年与知名IC设计大厂合作,历经研究测试,2012年正式突破技术门坎,不仅替客户完成难度极高的28奈米最小线宽修改,且电路除错能力更深入至IC最底层(Metal 1)。

宜特表示,28奈米是现今市场上各大厂欲跨入的制程,此制程可为IC产品带来更高的效能,更低的能耗,与更轻薄短小的尺寸,相当符合现今行动装置的需求,因此许多大厂纷纷导入。

不过,28奈米制程亦有技术上的挑战。宜特科技可靠度与FIB工程处副总经理崔革文表示,28奈米在设计与布局上的复杂度大幅升高,并且很难有一套通用的可制造性设计(Design for manufacture,DFM)模型来确保设计与布局的正确性,将导致IC设计业者须进行更为频繁的光罩改版,增加时间成本与金钱成本的负担,一套28奈米光罩要价近2亿台币,是40奈米的好几倍,往来重新下光罩亦需一个多月。

因此,许多业者采FIB(Focused ion beam,聚焦离子束)线路修改技术,藉此省去光罩改版的时间与金钱成本。崔革文说:「FIB在28奈米产品的除错与验证上势必将扮演更为重要的角色。」

FIB工程处经理 许如宏表示,早在2010年,宜特即展开28奈米IC线路修改的研究与布局,针对最底层(Metal 1)的极小线路作修改测试,并从极小间距中,研究如何设定正确参数将讯号引出,还可利用独有的低阻值联机技术(宜特已有中华民国专利),克服过大阻值易造成高频讯号的延迟与失真,目前在各个环节上均已完成验证,技术能量已可满足现今所有先进制程产品的除错与验证需求。

许如宏进一步指出,工欲善其事,必先利其器,宜特除了拥有技术外,亦在这两年,建造完成国内唯一同时拥有可胜任40奈米与28奈米线路修改的实验室,除了一般的Front-side FIB技术外,亦可支持Back-side FIB线路修改技术。

Back-side FIB其原理是从IC芯片的背面(即硅基材端)来进行线路修改,该相关技术近年来受到高度瞩目,其需求亦日益趋多。特别在联机密度与I/O数都特别高的28奈米制程上,由于需要更多层的金属联机与更高比例的覆晶封装(Flip Chip)形式,也因此,使用Back-side FIB线路修改将成为未来主流。

關鍵字: 宜特科技  崔革文  许如宏  測試系統與研發工具 
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