账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2018年02月26日 星期一

浏览人次:【2713】

设计一个运作於Linux作业系统的工业级微处理器(MPU)系统是一件非常困难和复杂的事情。即便是该领域资深的开发人员也要花费大量时间来设计电路板布局以确保DDR记忆体和乙太网实体层(PHY)高速介面的讯号的完整性,同时也还需要满足电磁相容性(EMC)的标准要求。

将电源管理、非挥发性启动记忆体、乙太网实体层和高速DDR记忆体整合在一个小型单片电路板上,让设计更紧凑、更高效率。
将电源管理、非挥发性启动记忆体、乙太网实体层和高速DDR记忆体整合在一个小型单片电路板上,让设计更紧凑、更高效率。

为了让此类设计变得更加简单,Microchip Technology Inc. 开发了一种新的基於SAMA5D2 MPU的系统模组(SOM)。 这款ATSAMA5D27-SOM1里面包含了最近发布的ATSAMA5D27C-D1G-CU系统级封装(SiP),透过将电源管理、非挥发性启动记忆体、乙太网实体层和高速DDR记忆体整合在一个小型单片电路板(PCB)上,进而大幅简化了系统的设计。

SAMA5D2系列产品可以为各层次专业水准的设计者提供极为灵活的设计选择。例如,其中的SOM整合了多个外部元件并解决了围绕EMI、ESD和讯号完整性的主要设计问题,进而加快开发时间。客户可以将SOM焊接到自己的电路板上然後进行生产,也可以将其与能够从网上免费获取的电路图、设计和Gerber档以及完整的材料清单等资料用作为设计上的叁考。此外,客户也可以根据自身的设计需求从SOM转换成SiP 或MPU。无论客户选择哪种设备,他们都可以享受Microchip针对客户提供的供货政策,确保满足客户所需。

采用 Arm Cortex-A5微处理器的SAMA5D2 SiP可以安装在SOM PCB上或是单独提供,产品整合了1 Gb DDR2记忆体,去除了PCB对高速记忆体介面的限制,进一步简化设计。阻抗匹配在封装过程中即已完成,在开发过程中无需手动调整,因此系统可以在正常速度和低速运行时依旧保持正常工作。SAMA5D2 SIP有三种大小的DDR2记忆体供选择(128 Mb、512 Mb和1 Gb),均针对裸板、即时操作系统(RTOS)和Linux实现进行了优化。

Microchip的客户在开发Linux应用程式时可以免费获得最丰富的驱动程式、中介软体和用於嵌入式市场的应用层。所有Microchip用於SiP 和 SOM的 Linux开发程式码都已经接入到Linux社群当中。这样客户就可以以最低的软体开发程度将驱动外部设备连接到SOM 和 SIP的解决方案当中。

SAMA5D2系列产品具备业内最高的安全等级,并且满足PCI标准,为客户实现安全的设计提供了绝隹的平台。产品整合了Arm TrustZone、篡改检测、资料和程式安全储存、硬体加密引擎、安全启动等多种功能,客户可以与 Microchip的安全专家一同对自身的安全需求进行评估并落实适合自身设计的保护措施。SAMA5D2 SOM 还包含了 Microchip的 QSPI NOR快闪记忆体、一个电源管理积体电路(PMIC)、一个乙太网实体层和带有媒体存取控制(MAC)功能的串列EEPROM记忆体,以满足扩展设计的需求。

Microchip MPU32业务单位??总裁Alfredo Vadillo说道:「SOM可以大幅减少开发时间、软体撰写和除错工作,让设计者们将精力放在系统的应用功能上,进而缩短上市时间,」。 「有了这款新的SOM,客户可以利用Microchip集最新技术於一身的单一模组更快地将产品推向市场,同时还可得到来自我们的全方位支持和长期供货承诺。」

關鍵字: 微处理器  Linux  Microchip 
相关产品
贸泽即日起供货Microchip PIC32CZ CA微控制器
Microchip作动电源整合方案协助航空业向电力飞机转型
Microchip AVR DU系列USB微控制器支援增强型程式码保护和高功率输出
Microchip推出搭配Kudelski IoT keySTREAM的ECC608 TrustMANAGER
Microchip串列SRAM产品组合更大容量、速度更快
  相关新闻
» 英飞凌功率半导体为麦田能源提升储能应用效能
» 工研院携手产业实践净零行动 聚焦氢能创新、共创绿色金融科技平台
» TI创新车用解决方案 加速实现智慧行车的安全未来
» 车电展欧特明以视觉AI实现交通事故归零愿景
» 多元事业引擎发威 友达揭示零售、教育、医疗高值化方案
  相关文章
» 以协助因应AI永无止尽的能源需求为使命
» 低 IQ技术无需牺牲系统性能即可延长电池续航力
» P通道功率MOSFET及其应用
» 运用能量产率模型 突破太阳能预测极限
» 新一代4D成像雷达实现高性能

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK84JAOGFK0STACUKR
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw