【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）推出革命性的 SiC (碳化矽) MOSFET 技術，讓產品設計達到前所未有的功率密度和效能水平。英飛凌的 CoolSiC MOSFET在提升效率與頻率上，提供更高的靈活度，協助功率轉換配置的開發人員達到節省空間和重量、減少冷卻需求、提升可靠性並縮減系統成本。

英飛凌工業電源控制事業處總裁 Helmut Gassel 博士

英飛凌工業電源控制事業處總裁 Helmut Gassel 博士表示：「二十多年以來，英飛凌一直是開發 SiC 解決方案的先鋒，以滿足節能、精簡體積、系統整合和提升可靠度的需求。我們的肖特基二極體與 J-FET 技術讓設計人員得以超越傳統矽的限制，達到更高的功率密度和效能，英飛凌的 SiC 元件已經被用於數以百萬計的產品當中。此策略現更向前邁出一大步，將功率 MOSFET 整合，讓 SiC 技術發揮更多優勢，這是以前無法實現的事。」

SiC MOSFET 功能的影響力確實讓人印象深刻。功率轉換配置運作時所使用的切換頻率，可達現今所使用之三倍或更高，其帶來的好處能減少磁性元件和系統外殼製造材料中的銅與鋁含量，有助於製造出更小及更輕的系統，以減少運輸需求，也更容易安裝。而功率轉換應用的設計人員更能創造出節能的新解決方案，並在全新範疇中運用效能、效率和系統彈性。

新的 1200 V SiC MOSFET 經過優化能兼顧可靠性和效能。其運作時的動態損耗比 1200 V Si IGBT 降低了一個數量級，可從根本上更為優化的系統，應用包括：光電逆變器、不斷電系統 (UPS) 或充電器/儲存系統等，而之後也將延伸至工業馬達應用。

MOSFET 與一般驅動 IGBT 所用的 +15 V/-5 V 電壓完全相容，並結合目標應用所需的4V的導通臨界電壓 (Vth) 和強健的短路電流需求及可完全控制 dv/dt 特性。更勝 Si IGBT 替代方案的主要優點包括不受溫度影響的切換損耗，以及無最低導通電壓的導通特性。

依據累積多年 SiC 半導體開發經驗，全新 MOSFET 採用先進的溝槽半導體製程，同時也是英飛凌 CoolSiC 技術全系列產品的最新發展。此系列包括肖特基二極體和 1200 V J-FET 裝置以及在模組裝置中結合 Si IGBT 與 SiC 二極體的各種混合式解決方案。

第一款分立式 1200 V CoolSiC MOSFET 的額定導通電阻 (RDS(ON)) 僅 45 微歐姆，針對光電逆變器、不斷電系統、充電器和能源儲存應用，提供 3 針腳和 4 針腳的 TO-247 封裝。因為整合了穩定的本體二極體，其運作時反向回復損耗接近零，因此兩種裝置皆可在同步整流線路中使用。4 針腳封裝在源極上設有額外的 (Kelvin) 連線，可作為閘極驅動電壓的參考電位。由於消除了因源極電感帶來的壓降影響，因此特別是在使用較高切換頻率的時候能進一步減少切換損耗。

英飛凌同時推出採用 SiC MOSFET 技術的 1200 V Easy1B半橋式與升壓器模組，由於結合了PressFIT連線與良好的散熱介面、極低的離散電感與堅固設計，因此每個模組皆提供11 微歐姆和 23 微歐姆兩種額定 RDS(ON) 選項。英飛凌會在 2016 年下半年開始針對目標應用提供樣品，預計於 2017 年開始量產。

[參展訊息]

展會名稱：PCIM 2016

展會日期：2016 年 5 月 10-12 日

攤位編號：9號館第412號攤位

展覽地點：德國紐倫堡

展示要點：應用於工業、消費性與汽車領域系統效率的頂尖技術