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英飛凌OptiMOS 5 150 V 可大幅降低導通電阻和逆向復原電荷
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2016年10月18日 星期二

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【德國慕尼黑訊】為滿足高效率設計和應用的需求,英飛凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5 150 V 產品組合,進一步拓展OptiMOS 第五代功率 MOSFET系列。全新150 V系列特別針對需求低電荷、高功率密度同時具備高耐用度的高效能應用,如低壓驅動器、電信電源與的同步整流以及太陽能轉換器所設計。

採用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS 5 150 V 大幅降低25%的導通電阻RDS(on)。超低Qrr 比 SuperSO8 可提升整流耐用度。
採用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS 5 150 V 大幅降低25%的導通電阻RDS(on)。超低Qrr 比 SuperSO8 可提升整流耐用度。

節能科技

英飛凌持續開發能夠促成高效率設計的產品,以協助降低全球 CO2 排放量。OptiMOS 5 150 V 能減少電信設備的功耗,亦或增加電動車的功率與行程,對環保的目標作出了貢獻。

相較於次佳的同類產品,採用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS 5 150 V 大幅降低 25% 的導通電阻 RDS(on)。在相同的 RDS(on) 下,本系列產品的 FOMg 較前一代產品提高了 29%。由於超低 Qrr 比 SuperSO8 中次佳同類產品低 72%,因此可提升整流耐用度,同時也具備強化的 EMI 特性。(編輯部陳復霞整理)

關鍵字: 導通電阻  逆向復原電荷  Infineon(英飛凌Infineon(英飛凌系統單晶片 
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