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IR推出12V雙重N通道及P通道MOSFET
適用於DDR記憶體及即時起動電路

【CTIMES/SmartAuto 黃明珠報導】   2002年07月16日 星期二

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全球功率半導體及管理方案廠商-國際整流器公司(International Rectifier)推出全新IRF7338元件,把一對互相補足的12V N通道及P通道HEXFET功率MOSFET融合於單一SO-8封裝。與其他解決方案比較起來,IRF7338是一款極具經濟效益的元件,適用於不同裝置的即時起動電路,包括USB埠、具雙倍數據速率 (DDR) 的動態隨機存取記憶體 (DRAM) 應用系統,以及其他需利用單極雙投 (Single-pole Double-throw,簡稱SPDT) 元件在待機電壓和核心電壓軌道間進行切換的電路。SPDT開關配備單一控制輸出,可驅動單一或其他電路路徑,依照控制輸入的高低而定。

IR表示,IRF7338元件以簡單的運算放大器 (op-amp) 驅動,能在DDR記憶體應用中為終斷終端電壓 (VTT) 提供交替來源和散熱路徑。在USB應用中,這款採用聯合封裝的新MOSFET能把USB埠即時切換於5V待機軌道和5V核心軌道之間。在PCI應用中,該元件更可切換於3.3V待機軌道和3.3V核心軌道。

IR台灣分公司總經理朱文義表示:「IRF7338經過最佳化,適用於支援先進配置電源介面 (ACPI) 的電腦,提供待機與全功率狀態之間的快速切換。ACPI介面適用於筆記型電腦、桌上型電腦及伺服器,有助於電源系統資源管理、節省能源使用,同時可將電池壽命延至最長。」IRF7338的P通道部分可切換高至3A的電流,N通道部分則可切換高至6.3A的電流。兩組元件的柵電荷極低,有助於簡化柵驅動電路的設計。

關鍵字: 國際整流器公司  朱文義  電源供應器 
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