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富士通開發全新FRAM具有4 Mbit記憶容量
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2016年03月01日 星期二

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香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司宣布,富士通成功開發具有4 Mbit記憶容量的全新FRAM(鐵電隨機存取記憶體)產品─MB85RQ4ML,此產品是以高速運算改善網路裝置效能的非揮發性記憶體,於四線SPI介面非揮發性RAM市場中擁有高密度,並開始以樣本量供貨。

富士通成功開發資料傳輸速度高達每秒54 MB的4 Mbit四線 SPI FRAM
富士通成功開發資料傳輸速度高達每秒54 MB的4 Mbit四線 SPI FRAM

MB85RQ4ML採用單一1.8V電源供電,使用具有四個I/O pin的四線SPI介面,並能達到每秒54 MByte的資料傳輸速率。此產品具高速運算能力與非揮發性記憶體特性,因此適用於網路建置、RAID控制器及工業運算等領域。

富士通充分運用FRAM的非揮發性、高速讀寫週期、高讀寫耐用度及低功耗特性,為穿戴式市場及物聯網市場帶來使用FRAM的免電池解決方案。為滿足市場對非揮發性RAM介面速度提升的迫切需求,富士通目前已成功開發MB85RQ4ML 4Mbit FRAM,在FRAM產品線中擁有最高資料傳輸速度(圖1)。

此產品採用單一1.8V電源供應器及四線SPI介面,能以108 MHz運作頻率達到每秒54 MB的資料傳輸速度。相較以往富士通產品中,採用44-pin TSOP封裝中,擁有16-bit平行介面的4Mbit FRAM,其傳輸速度最快,為每秒13 MB,而此全新產品的資料讀寫速度快速之外,且所用腳位更少。此產品適用於必須持續重寫設定資料的網路設備,如路由器等。其定位介於資料儲存用的高密度非揮發性記憶體與高速作業記憶體之間,並以高速存取及資料備份支援資料重寫。

仰賴巨量資料處理能力的物聯網市場,隨著資料處理量不斷增加,記憶體亦必須頻繁地執行資料重寫;此外,從安全觀點來看,保留存取記錄也將更受到重視。有鑑於此,此產品能透過保留網路領域中存取資訊而促進設備效能的改善。

產品規格

*元件料號:MB85RQ4ML

*記憶體密度(組態):4Mbit (512K字元x 8位元)

*介面:SPI/Quad SPI

*運作電壓:1.7 – 1.95伏特

*保證讀/寫週期:10兆次

*資料保留:10年 (85度時)

*封裝:16-pin SOP

關鍵字: FRAM  鐵電隨機存取記憶體  高速運算  富士通  鐵電性隨機存取記憶體 
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