Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐，為採用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件。針對不適合使用傳統底部散熱型表貼元件的系統，TOLT封裝提供高靈活度的熱管理方案，不僅熱性能相當於廣泛使用的、熱性能穩定的TO-247插孔封裝，還具有基於SMD的印刷電路板組裝（PCBA）實現高效製造流程的優勢。

Transphorm採用頂部散熱的TOLT氮化鎵電晶體，協助運算、人工智慧、能源和汽車電源系統實現熱性能和電氣性能，目前可提供樣片。

TP65H070G4RS採用Transphorm的650 V常閉型d-mode氮化鎵平台，該平台具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復電荷和動態電阻，因而效率優於矽、碳化矽和其他氮化鎵產品。SuperGaN平台的優勢與TOLT封裝更好的散熱性及系統組裝靈活性相結合，為尋求具有更高功率密度和效率、整體功率系統成本更低的電源系統客戶提供GaN解決方案選擇。Transphorm正與全球多個高功率GaN合作夥伴展開合作，包括伺服器和儲存電源、能源/微逆變器、衛星通信領域廠商，以及創新型離網電源解決方案製造商。

Transphorm業務發展及市場行銷高級副總裁Philip Zuk表示：「TOLL和TOLT這樣的表面貼裝元件具有降低內部電感，以及在製造過程中更簡單的板載安裝等優勢。TOLT通過採用頂部散熱來提供更靈活的整體熱管理，具有類似插孔式的散熱性能。這些元件通常用於中高功率系統應用，包括高性能運算（例如伺服器、電信、人工智慧電源）、可再生能源和工業、以及電動汽車等為其關鍵市場。目前，其中一些市場應用已採用Transphorm的氮化鎵技術。」

該650 V SuperGaN TOLT封裝元件已通過JEDEC標準認證。由於常閉型d-mode平台是將GaN HEMT結合一個整合型低電壓矽MOSFET，因此，SuperGaN FET可以使用常用的市售柵極驅動器驅動，應用於各種硬開關和軟開關AC-DC、DC-DC和DC-AC拓撲中，提高功率密度，並減少系統尺寸、重量和成本。

TP65H070G4RS SuperGaN TOLT封裝元件目前可提供樣片。