英飛凌科技股份有限公司宣佈推出全新的 TO 無鉛封裝產品，能減少封裝電阻、大幅縮小尺寸，還能改善 EMI 特性。產品包含最新一代的 OptiMOS MOSFET，適用於具有高功率和穩定性需求的應用，像是堆高機、輕型電動車、電子保險絲 (eFuse)、負載點 (PoL) 和電信系統等。

全新 TO 無鉛封裝的設計可耐受高達 300A 的高電流。封裝電阻較低，因此在所有電壓等級下都能達到最低的 RDS(on)。封裝尺寸比 D2PAK 7pin 少 60%，能將設計體積減到最小。TO 無鉛封裝的體積大幅減少 30%，讓堆高機等應用所需要的電路板空間更小。高度減少 50%，在機架或刀鋒伺服器等一些需要小巧體積的應用中尤其具備優勢。此外，封裝的寄生電感較低，因此 EMI 特性更佳。

英飛凌低電壓功率轉換資深協理 Richard Kuncic 表示：「隨著 TO 無鉛封裝的推出，英飛凌將成為第一家推出 0.75mΩ 60V MOSFET 的半導體公司。產品可以減少堆高機應用中所需並聯 MOSFET 的數量，同時提高功率密度。此種封裝能為我們的客戶帶來重大優勢，滿足高功率應用的需求，提供最高等級的效率和可靠性。」

再加上，TO 無鉛封裝的焊接接觸面積增加 50%，因此電流密度得以降低。如此可避免在高電流量和高溫下發生電遷移，進而提升可靠性。與其他無鉛封裝不同的是，TO 無鉛封裝採用銲錫的溝槽引腳，因此能夠用肉眼檢查。

此種全新封裝是高功率應用的最佳選擇，能滿足應用對高效率、優異可靠性、最佳 EMI 特性和最佳散熱特性等的需求。