凌力尔特（Linear Technology）发表双组理想diode-OR控制器LTC4355，其能于高可用性系统中，以N信道MOSFET取代萧特基二极管，并提供更广泛的故障监视，以诊断供电的异常。在输入供应端，以此种方式所建立的diode-OR能降低功耗、热散及PC板面空间。宽广的9V至80V操作范围，可支持两个正供电的diode-OR应用，如12V分布式总线架构或两个负供电的折返途径，如-48V AdvancedTCA（ATCA）应用。此外，LTC4355能监视并个别地标示几种不同的错误型态，包括：当输入供电未达稳压状态、以及在线保险丝烧毁、或横跨于MOSFET的电压高于异常门坎时。

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在如ATCA等高功率时、高可用性应用等，多余供电及过量的折返途径是必要的，OR-ing二极管的功率与热发散量可能都相当可观，因此MOSFET将会是一个更具效率的解决方案。LTC4355为外部的N信道MOSFET提供闸极驱动，快速地关机能避免反向电流，和缓地切换供电，而不产生震荡。此LTC4355正diode-OR控制器补强了LTC4354负diode-OR控制器，以及凌力尔特各式Hot Swap控制器家族，包括具备严峻UV/OV公差的LTC4252A及具备内部ADC以进行更广泛性监控的LTC4261。