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意法半导体650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用效能
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2015年07月23日 星期四

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意法半导体(STMicroelectronics, ST)推出新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷且经济实惠的能效解决方案,适用于暖通空调系统(HVAC)马达驱动器、不间断电源、太阳能转换器以及所有硬开关(hard-switching)电路拓扑20kHz功率转换应用。

意法半导体的650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用的能效
意法半导体的650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用的能效

采用意法半导体的第三代沟槽式场截止型(trench-gate field-stop)低损耗制程,M系列IGBT拥有一个全新沟槽/通道闸(trench gate)和特殊设计的PNP垂直结构,能在导通损耗和开关损耗之间找到了最佳平衡点,从而最大幅地提升电晶体的整体性能。在摄氏150度初始接面温度时,最小短路耐受时间为6us,摄氏175度最大工作接面温度及宽安全工作范围有助于延长元件的使用寿命,同时提升对功率耗损有极高要求的应用可靠性。

此外, 新产品封装亦整合了新一代稳流二极体(Free-wheeling Diode)。新款二极体提供快速恢复功能,并同时保持低正向电压降及高软度。此项设计不仅可实现优异的EMI保护功能,还能有效降低开关损耗。正VCE(sat)温度系数结合紧密的参数分布,使新产品能够安全平行,并满足更大功率的要求。

最新发布的M系列拥有10A及30A两种可选额定电流,提供各种功率封装选择,包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL长针脚封装,与意法半导体针对高频工业应用所研发的HB系列650V IGBT(高达60 kHz)相互补足。新产品已开始量产。 (编辑部陈复霞整理)

产品特色

‧650V IGBT,大部分的竞争产品都是600V;

‧低VCE(sat) (1.55V @25°C)电压,能够最大幅度地降低导通损耗;

‧出色的稳健性,拥有广泛的宽安全工作范围以及无锁定效应(latch-free operation);

‧最佳化的Etot - Vce(sat) 平衡比;

‧摄氏175度最大工作接面温度;

‧高温下的短路耐受时间最短6us;

‧电压过冲非常有限,确保关机期间零振荡

關鍵字: IGBT  20kHz  稳流二极体  暖通空调系统  HVAC  馬達驅動器  不间断电源  太阳能转换器  STMicroelectronics  系統單晶片 
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