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富士通开发全新FRAM具有4 Mbit记忆容量
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2016年03月01日 星期二

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香港商富士通亚太电子有限公司台湾分公司宣布,富士通成功开发具有4 Mbit记忆容量的全新FRAM(铁电随机存取记忆体)产品─MB85RQ4ML,此产品是以高速运算改善网路装置效能的非挥发性记忆体,于四线SPI介面非挥发性RAM市场中拥有高密度,并开始以样本量供货。

富士通成功开发资料传输速度高达每秒54MB的4 Mbit四线 SPI FRAM
富士通成功开发资料传输速度高达每秒54MB的4 Mbit四线 SPI FRAM

MB85RQ4ML采用单一1.8V电源供电,使用具有四个I/O pin的四线SPI介面,并能达到每秒54 MByte的资料传输速率。此产品具高速运算能力与非挥发性记忆体特性,因此适用于网路建置、RAID控制器及工业运算等领域。

富士通充分运用FRAM的非挥发性、高速读写周期、高读写耐用度及低功耗特性,为穿戴式市场及物联网市场带来使用FRAM的免电池解决方案。为满足市场对非挥发性RAM介面速度提升的迫切需求,富士通目前已成功开发MB85RQ4ML 4Mbit FRAM,在FRAM产品线中拥有最高资料传输速度(图1)。

此产品采用单一1.8V电源供应器及四线SPI介面,能以108 MHz运作频率达到每秒54 MB的资料传输速度。相较以往富士通产品中,采用44-pin TSOP封装中,拥有16-bit平行介面的4Mbit FRAM,其传输速度最快,为每秒13 MB,而此全新产品的资料读写速度快速之外,且所用脚位更少。此产品适用于必须持续重写设定资料的网路设备,如路由器等。其定位介于资料储存用的高密度非挥发性记忆体与高速作业记忆体之间,并以高速存取及资料备份支援资料重写。

仰赖巨量资料处理能力的物联网市场,随着资料处理量不断增加,记忆体亦必须频繁地执行资料重写;此外,从安全观点来看,保留存取记录也将更受到重视。有鉴于此,此产品能透过保留网路领域中存取资讯而促进设备效能的改善。

产品规格

*元件料号:MB85RQ4ML

*记忆体密度(组态):4m Bit (512K字元x 8位元)

*介面:SPI/Quad SPI

*运作电压:1.7 – 1.95伏特

*保证读/写周期:10兆次

*资料保留:10年 (85度时)

*封装:16-pin SOP

關鍵字: FRAM  铁电随机存取记忆体  高速运算  富士通  铁电性随机存取内存 
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