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Vishay新增两款第三代功率MOSFET产品
 

【CTIMES/SmartAuto 李旻潔报导】   2008年12月04日 星期四

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Vishay推出两款20V和30V n信道组件,扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些组件采用TurboFET技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%,大幅降低切换损耗及提高切换速度。

20V SiS426DN组件采用3mmX3mm尺寸的PowerPAK 1212-8封装,可为限定电压设备提供较低的导通电阻与栅极电荷乘积。在4.5V及10V时栅极电荷分别降低45%与36%,FOM降低50%。

这些组件将在同步降压转换器中用作高端MOSFET,通过使用负载点功率转换有助于节省笔记本电脑、稳压器模块、服务器与其他系统的功耗。

關鍵字: 笔记本电脑  稳压器  伺服器  Vishay  电源组件 
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