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东芝新款碳化矽MOSFET双模组适用于工业设备
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨报导】   2022年01月27日 星期四

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东芝(Toshiba)推出两款碳化矽(SiC)MOSFET双模组:额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的MG600Q2YMS3;额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的MG400V2YMS3。此为东芝首款具有此类电压等级的产品,与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成1200V、1700V和3300V元件的阵容。

东芝推出两款1200V和1700V碳化矽MOSFET双模组,帮助实现尺寸更小、更高效率的工业设备。 (source:Toshiba)
东芝推出两款1200V和1700V碳化矽MOSFET双模组,帮助实现尺寸更小、更高效率的工业设备。 (source:Toshiba)

新模组的安装方式能够与广泛使用的矽(Si) IGBT模组相容。其低能量损耗特性满足工业设备对更高效率和更小尺寸的需求,适合于轨道车辆的逆变器和转换器、可再生能源发电系统、马达控制设备及高频DC-DC转换器应用。

關鍵字: MOSFET模组  碳化硅  Endüstri/sanayii donatımı  东芝 
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