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UnitedSiC推出用於低功率AC-DC返驰式转换器的SiC JFET系列
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年03月21日 星期四

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UnitedSiC推出一系列适用於与具备内建低压MOSFET的控制器IC共同封装的SiC JFET晶片,可制造出速度快,基於叠接的20W至100W返驰式产品。这些常导通式SiC JFET的操作电压范围为650V至1700V,可帮助实现简化的启动方案,具有零待机功耗。

SiC JFET在应对重复的雪崩和短路时具备强大能力,因此SiC叠接在实用中非常牢固。SiC JFET与控制IC中的LV MOSFET串列连接,常导通式JFET的源极电压在JFET关断之前升至12V,IC开始切换。透过JFET的电流路径可以用作控制器IC之启动电源。在转换器开始运作後,来自转换器变压器的辅助电源被闸控(gated-in),没有进一步的功率损耗。

UnitedSiC执行长Chris Dries表示:「伴随这些新型SiC JFET的推出,UnitedSiC现在已经位居业内拥有最广泛SiC功率产品组合厂商之列,我们能够透过晶片和离散封装形式来提供高性能JFET功能。」

關鍵字: 转换器  UnitedSiC 
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