威世科技（Vishay）推出新型VRPower整合型DrMOS功率级解决方案，提供三种PowerPAK封装尺寸，以应对高功率高效率多相POL应用领域。威世Siliconix SiC789与SiC788采用MLP66-40L封装，为Intel 4.0 DrMOS 标准（6 mm x 6 mm）脚位，而SiC620及SiC620R则采用全新的5 mm x 5 mm MLP55-31L封装，SiC521则是4.5 mm x 3.5 mm的MLP4535-22L封装。此装置被最佳化于需要高电流，有空间限制的运算、储存设备、电信交换器、路由器、图形卡与比特币挖矿机的DC/DC电转换器。

/news/2014/12/25/1143256540S.jpg

SiC789及SiC788的6 mm x 6 mm提供更方便的升级路径，给设计上需要更高的输出功率并已使用Intel标准DrMOS 4.0的脚位者，全新5 mm x 5 mm及3.5 mm x 4.5 mm的脚位，给设计上需要更局限、紧凑空间的电压调节器提供选择。 PowerPAK MLP55-31L及MLP4535-22L改善数种在封装上所产生的寄生及热度效应，巩固威世在Gen IV MOSFET先进的动态性能。例如，在传统多相降压型转换器设计中，采用双边冷却MLP55-31L封装的SiC620R可传送70 A，效率为95 %。本装置能同时冷却封装顶部及底部，较前一代封装相比减少20 %的损失，占板面积也减少33 %。缩小型的3.5 mm x 4.5 mm SiC521可在笔电、伺服器周边设备、电信交换器、游戏主机板等设计中传送高达25 A的连续电流，电流峰值达到40 A。

VRPower系列闸极驱动IC可应用于多种PWM控制器，并支援5 V及3.3 V的三态PMW逻辑。此外，驱动IC 结合了二极体仿真模式电路，用于提升轻载效率。另外，自适应死区时间控制，能更进一步提升所有负载点的效率。本装置更具备欠电压锁定功能（UVLO）、短路保护及过热警告（能在系统接面温度过高时发出警示）等特殊功能。

新装置系列共计提供标准型6 mm x 6 mm PowerPAK MLP66-40L及全新5 mm x 5 mm PowerPAK MLP55-31L、及4.5 mm x 3.5 mm PowerPAK MLP4535-22L封装。 （编辑部陈复霞整理）