新型Ultra C VI系?充分利用盛美已被验证的多腔体技术，为储存器制造商提高产能并降低成本。

先进半导体设备供应商盛美半导体设备近日发布Ultra C VI单晶圆清洗设备，此为Ultra C清洗系列的新品。Ultra C VI旨在对动态随机存取储存器（DRAM）和3D NAND闪存晶圆进行高产能清洗，以实现缩短储存产品的生产周期。这款新品以盛美成熟的多腔体技术为基础，进一步扩展了清洗设备产品线。Ultra C VI系统配备了18个单片清洗腔体，对比盛美现有的12腔设备Ultra C V系统，其腔体数及产能增加了50%，而其设备宽度不变只是设备长度有少量增加。

「储存产品的复杂度不断提高，但仍然对产量有严格的要求。」盛美董事长王晖博士表示：「当清洗制程的时间逐渐加长或开始采用更复杂的乾燥技术时，增加清洗腔体有效解决产能问题，使先进储存装置制造商保持甚至缩短产品的生产周期。我们的18腔清洗设备将是解决这类问题的利器。Ultra C VI平衡了腔体数量配置，在实现高产能（wafer-per-hour）的同时，兼顾了与工厂自动化能力的匹配，同时也避免因腔体数量过多而面临的设备挎机压力。」

Ultra C VI可进行低至1y节点及以下节点的先进DRAM产品和128层及以上层数的先进3D NAND产品的单晶圆清洗。该设备可根据应用及涉及的化学方法运用於各种前道和後道制程，如聚合物去除、中段钨或後段铜制程的清洗、沈积前清洗、蚀刻後和化学机械抛光（CMP）後清洗、深沟道清洗和RCA标准清洗。

清洗过程中可使用多种化学组合，包括标准清洗（SC1，SC2）、氢氟酸（HF）、臭氧去离子水（DI-O3）、稀硫酸双氧水混合液（DSP，DSP +）、有机溶剂或其他制程化学品等。最多可对其中两种化学品进行回收，节约成本。

该设备还可以采用可选的物理辅助清洗方法，例如二流体氮气雾化水清洗或者盛美专有的空间交变相位移（SAPS）和时序能激气穴震荡（TEBO）兆声清洗技术。可选配异丙醇（IPA）干燥功能，应用於具有高深宽比的图形片。此外，由於该设备与盛美现有设备的宽度一致，因此有助於提高晶圆厂的空间利用率，并进一步降低成本。

盛美计划在2020年第三季度初期交付Ultra C VI给一家储存制造厂进行评估和验证。