在行动、物联网和虚拟实境的装置中，必须同时容纳更多频段来实现更快的资料传输，致使5G/6G智慧手机频段需求增加。联华电子今（2）日推出业界首项RFSOI制程技术的3D IC解决方案，此55奈米RFSOI制程平台上使用的矽堆叠技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将晶片尺寸缩小45%以上，客户能够有效率地整合更多射频元件，以满足5G更大的频宽需求。

联电的RFSOI 3D IC解决方案可减少电路板晶片所占面积达45%，支援 5G 行动装置中整合更多射频元件。

RFSOI是用於低杂讯放大器、开关和天线调谐器等射频晶片的晶圆制程。随着新一代智慧手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了晶片堆叠时常见的射频干扰问题，将装置中传输和接收资料的关键组件，透过垂直堆叠晶片来减少面积，以解决在装置中为整合更多射频前端模组带来的挑战。该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。

RFSOI解决方案系列从130到40奈米的制程技术，以8寸和12寸晶圆生产，目前已完成超500个产品设计定案，出货量高达380多亿颗。此外，联电的6寸晶圆厂联颖光电提供化合物半导体砷化??（GaAs）和氮化??（GaN），以及射频滤波器（RF filters）技术，可充分满足市场对射频前端模组应用的各种需求。