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Western Digital发表可应用於3D NAND的X4技术
 

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理报导】   2017年07月31日 星期一

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全球储存技术和解决方案供应商Western Digital公司发表开发出适用於64层3D NAND (BiCS3) 的X4 (每单元4位元) 快闪记忆体架构技术。凭藉之前开拓创新的X4 2D NAND 技术、成功商品化的经验及深厚扎实的垂直整合能力,Western Digital再次成功研发推进适用於3D NAND的X4架构技术。这前进的迈步包括矽晶片加工和其相关设备工程以达到每个记忆体单元保存4 位元的资讯(16种资讯状态),以及快闪记忆体管理系统的专业技术。

Western Digital研发推进适用於3D NAND的X4架构技术。
Western Digital研发推进适用於3D NAND的X4架构技术。

BiCS3 X4技术能在单一晶片上提供768Gb (gigabits) 储存容量,与采用X3 (每单元3位元) 技术的512Gb晶片相比,提高了50%的容量。Western Digital将在今年8月美国加州圣塔克拉拉 (Santa Clara) 的快闪记忆体高峰会 (Flash Memory Summit) 上展示采用BiCS3 X4架构技术的SSD 和可移动携带式产品。

Western Digital记忆体技术执行??总裁Siva Sivaram博士表示:「X4架构技术应用於BiCS3是Western Digital的一项重大发展,因为这不但证明了我们在NAND快闪记忆体技术领域的地位,也让我们能提供客户更多的储存方案。这次发布最重要的一点,就是在BiCS3 采用X4架构的创新技术能提供与BiCS3 X3相当的效能。缩小X4与X3架构的效能差距,是一项重要和革新化的功能,有助於在未来几年提高市场对X4架构技术的接受度。」

3D NAND X4架构技术是Western Digital在快闪记忆体产业近30年来再次创新领导研发的成就,其他包括早期业界领先采用X2 (每单元2位元) 与X3 (每单元3位元) 架构的多层储存单元 (MLC) 快闪记忆体技术。

Western Digital期??能将3D NAND X4技术商品化并应用到各种能充分利用X4更高容量优势的终端产品。未来世代的3D NAND技术,包括96层BiCS4在内也预估将具备X4性能设计。

關鍵字: 闪存  3D NAND  64层  Western Digital  WD  闪存 
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