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英飞凌推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 适用於 PFC 与返驰拓扑
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2018年09月07日 星期五

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英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) CoolMOS? P7 系列推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 新产品,符合最为严格的设计要求:适用於照明、智慧电表、行动充电器、笔电电源供应器、辅助电源供应器,以及工业 SMPS 应用。此全新半导体解决方案提供优异的散热与效率表现,可降低物料清单及整体生产成本。

英飞凌 950 V CoolMOSTM P7 超接面 MOSFET
英飞凌 950 V CoolMOSTM P7 超接面 MOSFET

950 V CoolMOS P7 提供极隹的 DPAK RDS(on),有助於更高密度的设计。此外,优异的 VGS(th) 与最低点 VGS(th)容许值,让 MOSFET的驱动与设计更为容易。类似於英飞凌领先业界的 P7 系列的其他产品,此装置也整合了赞纳二极体 ESD 防护。如此可带来更好的组装良率,因此降低成本,并减少ESD 相关生产问题的产生。

950 V CoolMOS P7 可提升多达 1% 的效率, MOSFET 温度降低 2 至 10 ?C,有助於更高效率的设计。相较於前代 CoolMOS 产品,此款元件的切换损耗降低达 58%,与市场上同类技术相较,改善率超过50%。

新款950 V CoolMOS P7 推出 TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAK 及 SOT-223 封装,因此可以从 THD 转换为 SMD 装置。

關鍵字: MOSFET  Infineon 
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