Diodes公司今日宣布推出首款碳化矽（SiC）萧特基势垒二极体（SBD）。产品组合包含DIODES DSCxxA065系列，共有十一项650V额定电压（4A、6A、8A和10A）的产品，以及DIODES DSCxx120系列，共有八款1200V额定电压（2A、5A和10A）产品。

Diodes推出碳化矽萧特基势垒二极体 提高效率和高温可靠性

这些宽带隙SBD的优点包括可大幅提高效率和高温可靠性，同时回应市场对降低系统执行成本并减少维护需求。这些装置适用於AC-DC、DC-DC和DC-AC降压变换器、光伏逆变器、不断电系统和工业马达驱动产品应用。此外，本系列装置也适用於其他各种电路，例如功率因数校正用途的升压转换器。

这些SiC装置拥有高效率效能，表现优於传统矽晶型产品，能为电源供应器设计人员带来空前产品效能优势，例如：

低电容电荷（QC）可将切换损耗降至极低，进而提升高速切换产品应用的效率。适合用於功率密度具有较高、解决方案总尺寸较小的电路设计。

低顺向电压（VF）可进一步提高效率、降低功率损耗和营运成本。

减少散热，有助於降低整个系统的散热预算。

高突波电流能力可提升稳固性，实现较隹系统可靠性，而出色的热效能还可降低建构成本。

本系列装置提供三种封装选项，包括表面黏着TO252-2（WX型）、通孔TO220AC（WX型）和ITO220AC（WX-NC型）。