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富士通推出能於摄氏零下55度运作的64-Kbit FRAM
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2018年06月13日 星期三

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富士通亚太电子有限公司台湾分公司宣布研发出型号为MB85RS64TU的64-Kbit FRAM,此款记忆体能在摄氏零下55度中运行,为富士通电子旗下首款能耐受如此低温的FRAM非挥发性记忆体。

适用於在极寒环境中须维持高可靠度运作的工业机具应用。
适用於在极寒环境中须维持高可靠度运作的工业机具应用。

此款产品支援范围极广的电源电压,从1.8伏特至3.6伏特,并支援更低的运作温度,最低可达摄氏零下55度,超越竞争对手记忆体的最低运作温度。由於它能在运作温度范围内保证10兆次读/写周期,故适合用於像在极寒地区挖掘天然气与石油的设备或机具等的工业机具,MB85RS64TU适用於例如测量设备、流量计、及机器人等的一般工业应用。

20年来,富士通量产各种FRAM非挥发性记忆体产品,具备高速写入运行、极高的读/写耐用度、及低功耗等特色。值得一提的是,FRAM产品保证10兆次的读/写周期,大约是竞争对手的非挥发性记忆体EEPROM的1千万倍,因此许多需要频繁覆写资料的工业应用,像即时资料记录与3D位置资料记录等,都采用富士通的FRAM产品。

富士通电子推出新款64-Kbit FRAM产品MB85RS64TU,其运行温度最低达到摄氏零下55度,进一步延伸现有产品零下40度的低温极限。新款产品的开发目标,是为满足客户对於工业机具搭载的记忆体必须能在极酷寒的环境下运作之需求。

MB85RS64TU的运作电源电压范围从1.8伏特到3.6伏特,连结SPI介面的最高频率为10MHz,而运行温度范围从摄氏零下55度到摄氏85度。

FRAM产品已推出业界标准的8-Pin SOP封装,使其能轻易取代8-Pin SOP封装的EEPROM。此外,还提供拥有2.00 x 3.00 x 0.75 mm极小尺寸的8-Pin SON封装,SON的表面贴装面积仅为SOP封装的30%,而贴装体积更仅为SOP的13%。

去年,富士通电子发表能在摄氏125度环境中运作的FRAM产品,扩展运行温度的高温极限;此次开发出的零下55度产品,则扩展运行温度的低温极限。

富士通电子致力於开发最适合所有客户应用的记忆体产品,为此我们将持续提供产品与解决方案,协助客户的各种应用发挥更好的价值与便利性。

關鍵字: FRAM  富士通 
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