Ramtron宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选组件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款组件FM25V10，是100万位（Mb）、2.0至3.6V、具有串行外设接口（SPI）的非挥发性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速存取、无延迟（NoDelay技术）写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EEPROM内存的理想代替产品。此外，Ramtron已计划在2008年陆续推出SPI、I2C及并行接口V系列F-RAM产品。

与串行闪存或串行EEPROM不同，FM25V10以总线速度执行写操作，无写入延迟，且数据能够立即写入内存数组。无需进行数据轮询即可开始下一个总线周期。相比串行闪存和串行EEPROM，FM25V10的耐用性高出8个数量级以上，所消耗的有功功率却不到其十分之一。

FM25V10具有高性能F-RAM功能，适用于要求频繁或快速数据写入或低功耗操作的非挥发性内存应用，应用范围从高写入次数至关重要的高频数据采集应用，以至严苛的工业控制应用，而在这些应用中，串行闪存或EEPROM因为写入时间长而可能丢失数据，因此并不适用。

FM25V10具有一个只读器件ID，能够以独特的序号与/或系统重置选项排序。组件ID提供有关制造商、产品密度和产品修订的信息。独特的序号使主机拥有与世界上任何其他主机不同的ID。系统重置选项可省去对外部系统重置部件的需要。

FM25V10可在-40℃至+85℃的工业温度范围工作，以40MHz SPI时钟速率运行时耗电仅为3mA，待机模式耗电仅为90μA，睡眠模式耗电更低至5μA。FM25V10的使用功耗为每MHz 38μA，远低于同类串行闪存或EEPROM产品。