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【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理报导】   2017年03月17日 星期五

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全球增?型氮化镓电晶体厂商、致力于开发创新的矽基功率场效应电晶体(eGaN FET)及积体电路的宜普电源转换公司(EPC)推出全新的EPC2045(7微欧姆、100 V)及EPC2047(10 微欧姆、200 V)电晶体,在提升产品性能的同时也可以降低成本。 100V的EPC2045应用于开放式服务器架构以实现48 V至负载的单级电源转换、负载点(POL)转换器、USB-C及 雷射雷达(LiDAR)等应用。 200 V的EPC2047的应用例子包括无?充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器。

EPC2045及EPC2047氮化镓场效应电晶体相较于比前一代的产品,这些电晶体的尺寸减半,而且性能显著提升。
EPC2045及EPC2047氮化镓场效应电晶体相较于比前一代的产品,这些电晶体的尺寸减半,而且性能显著提升。

EPC2045在性能/成本上继续扩大与等效矽基功率MOSFET的绩效差距。与前一代EPC2001C eGaN FET相比,EPC2045的晶片尺寸减半。而EPC2047 eGaN FET的尺寸也是减半,如果与等效矽基MOSFET相比,它的尺寸减小达15倍。

设计师现在可以同时实现更小型化和性能更高的元件! eGaN产品采用晶片级封装,比MOSFET使用塑胶封装可以更有效地散热,这是由于使用晶片级封装的元件可以直接把热量传递至环境,而MOSFET晶片的热量则聚集在塑胶封装内。

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow称:「我们非常高兴利用创新的氮化镓技术,开发出这些正在改变半导体行业发展的氮化镓场效应电晶体(eGaN FET)。」Alex继续说道:「面向目前采用MOSFET技术的各种应用,这些全新eGaN产品展示出EPC及其氮化镓电晶体技术如何提升产品的性能之同时能?降价。此外,我们将继续发展氮化镓技术以推动全新矽基元件所不能?支援的终端用户应用的出现。这些全新电晶体也印证了氮化镓与MOSFET技术在性能及成本方面的绩效差距正在逐渐扩大。 」

此外,我们也为工程师提供3块开发板以帮助工程师容易对EPC2045及EPC2047的性能进行评估,包括内含100 V的EPC2045电晶体的开发板((EPC9078及EPC9080)和内含200 V的EPC2047的开发板(EPC9081)。

eGaN产品发展进入良性循环的轨度

氮化镓制程的优势是氮化镓元件比等效矽基元件具备低很多的电容,因此可以在更高频、相同的阻抗及额定电压下,实现更低的闸极驱动损耗及更低的开关损耗。与最好的等效MOSFET相比,EPC2045工作在48 V–5 V电源转换、500 kHz开关频率时,功耗降低30%及效率提升2.5%。

与矽基MOSFET相反的是,eGaN FET虽然小型很多,但它的开关性能更高,代表eGaN产品的前景是该技术进入「良性循环」的轨度,预期氮化镓元件将会继续小型化而其性能可以更高。

全新产品在性能、尺寸及成本上的改进是由于利用了创新的方法,当击穿时在汲极区域减弱电场,并且同时大幅减少陷阱,使之所俘获的电子减少。

EPC2045(100 V、7微欧姆)电晶体,EPC2047(200 V、10 m?)各电晶体及开发板已供货。

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