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英飞凌专为50Hz至20kHz的低切换频率设计全新等级 IGBT
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2015年01月30日 星期五

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英飞凌科技(Infineon)推出全新等级的低饱和电压 VCE(sat) IGBT,专为 50Hz 至 20 kHz 的低切换频率所设计,适用于不断电系统(UPS)以及太阳光电与焊接系统中的变频器等应用。全新的 L5 系列产品采用TRENCHSTOP 5 薄晶圆技术,透过额外的载波优化,进而降低本身的导通损耗。

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相较于上一代 TRENCHSTOP IGBT 产品,新推出的L5系列在摄氏25度时的典型 VCE(sat)值为 1.05V,在 NPC 1 拓扑中,其效能最高可提升 0.1%,或在 NPC 2 拓扑中,效能最高可提升 0.3%,达到崭新的效能境界。结合VCE(sat) 的正温度系数,同时还能维持高效率以及直接并联的特性,为低于 20kHz切换频率 的 IGBT。L5 系列产品所采用的 TRENCHSTOP 5 技术不仅具备低导通损失特性,在摄氏 25度时,其整体的切换损耗还可低至1.6 mJ。基于上述原因,在低切换频率应用中采用全新推出的低 VCE(sat) IGBT,不仅可提高效率、改善可靠性,还能缩减系统尺寸。

第一波推出的新 L5 IGBT 系列产品将采用业界标准TO-247 3 针脚封装。另外,针对需要进一步提升效率的应用,英飞凌亦提供采用创新TO-247 4 针脚 Kelvin-Emitter 封装的L5 产品。相较于标准 TO-247 3 针脚封装,TO-247 4 针脚封装可进一步降低 20% 的切换损耗。因此,L5 结合 TO-247 4 针脚封装具备最低导通与切换损耗特性。

全新低 VCE(sat) L5 系列产品可提供 30A 与 75A 电流类别,包括单一 IGBT及与英飞凌超快速 Rapid 1 及 Rapid 2 硅二极管共同封装的相关产品。TO-247 4 针脚 Kelvin-Emitter 封装可提供 75A 电流类别。(编辑部陈复霞整理)

關鍵字: IGBT  Low switching frequency  不斷電系統  UPS  太阳光电  Welding system  變頻器  Thin wafer technology  Infineon  系統單晶片 
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