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英飞凌第六代 650 V CoolSiC肖特基二极体可快速切换
 

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理报导】   2017年10月02日 星期一

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【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出650 V CoolSiC肖特基二极体G6。这项 CoolSiC二极体系列的最新发展以G5的独特特性为基础,提供可靠性、高品质及更高的效率。CoolSiC G6二极体让600 V与650 V CoolMOS 7系列的功能更臻完善,适用於伺服器、PC电源、电信设备电源及PV变频器等目前与未来的应用。

英飞凌新650 V CoolSiC肖特基二极体G6的设计可在所有负载情况下提供更高的效率,同时提高系统功率密度。
英飞凌新650 V CoolSiC肖特基二极体G6的设计可在所有负载情况下提供更高的效率,同时提高系统功率密度。

650 V CoolSiC肖特基二极体G6具备全新配置、全新单元结构以及全新专有的肖特基材料系统,因此达成了业界标竿的VF (1.25 V) 以及 Qc x VF优质系数 (FOM) 较前代产品低了17%。另外,新款G6二极体运用碳化矽的强大特性,包括不受温度影响的切换特性以及无逆向回复电荷等。

此装置的设计可在所有负载情况下提供更高的效率,同时提高系统功率密度,因此,650 V CoolSiC肖特基二极体G6的散热需求降低、系统可靠性提升,并提供极快的切换速度,是最具性价比的SiC二极体产品世代。CoolSiC肖特基二极体650 V G6已开始供货。

關鍵字: 肖特基二极管  伺服器  PC电源  电信设备电源  PV变频器  Infineon  Infineon  系統單晶片 
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